[發(fā)明專利]芯片貼裝的工藝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811308607.0
• 申請(qǐng)日: 2018-11-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109560034A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 施陳;姜金平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 紫光宏茂微電子（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/683
• 分類號(hào): H01L21/683;H01L21/304;H01L21/52
• 代理公司: 上海市嘉華律師事務(wù)所 31285
• 代理人: 黃琮;傅云

本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種芯片貼裝的工藝，包括以下步驟：S1對(duì)晶圓進(jìn)行切割并得到多個(gè)芯片。S2在已得到的多個(gè)芯片的正面貼設(shè)第一保護(hù)膜。S3對(duì)已貼有第一保護(hù)膜的芯片的背面進(jìn)行研磨打薄至預(yù)設(shè)厚度。S4將已研磨打薄后的芯片背面貼上第二保護(hù)膜。S5去除已貼有第二保護(hù)膜的芯片上的第一保護(hù)膜。S6將已去除第一保護(hù)膜的芯片上的第二保護(hù)膜去除。S7使已去除第二保護(hù)膜的芯片的背面蘸膠，膠的固化溫度為60～80℃。S8將已背面蘸膠的芯片的背面貼裝到基板表面，基板設(shè)置在加熱軌道上。S9完成芯片貼裝。本發(fā)明的芯片貼裝的工藝可以減少加工工序、縮短加工周期以及降低產(chǎn)品的加工成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體封裝工序技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片貼裝的工藝。

背景技術(shù)

早期的芯片厚度較厚，通常采用環(huán)氧樹(shù)脂作為芯片與基板或框架之間的粘結(jié)劑。隨著產(chǎn)品工藝的發(fā)展，產(chǎn)品的體積要求越來(lái)越小，厚度越來(lái)越薄，當(dāng)芯片厚度低于150um之后，存在環(huán)氧樹(shù)脂從側(cè)面爬到芯片表面的風(fēng)險(xiǎn)。因此，厚度低于150um芯片貼裝采用DAF膜(Die attach film芯片粘結(jié)薄膜)將芯片和基板或框架粘結(jié)在一起，DAF膜具有雙層膜結(jié)構(gòu)，比普通膜的表面多了一層膠膜，當(dāng)芯片被拾取后，這層膠膜會(huì)與普通膜脫離，粘附在芯片背面，在芯片完成貼裝后，通過(guò)加熱使膠膜融化，從而實(shí)現(xiàn)芯片與基板的緊密粘接。傳統(tǒng)厚芯片的工藝流程是先進(jìn)行晶圓背面研磨減薄，再進(jìn)行晶圓切割，但是當(dāng)芯片的厚度低于60um之后，減薄后晶圓的拿取存在破片風(fēng)險(xiǎn)。因此，傳統(tǒng)薄芯片的工藝流程調(diào)整為DBG(dicing before Grinding)工藝，即先進(jìn)行晶圓切割，再進(jìn)行晶圓背面研磨減薄，然后再采用一次激光切割工序。

本申請(qǐng)的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)中，傳統(tǒng)厚芯片的工藝只能單層作業(yè)，一次不能貼裝多塊芯片，傳統(tǒng)薄芯片的DBG工藝需要采用DAF膜和激光切割工序，增加了加工成本，并且延長(zhǎng)了加工周期，導(dǎo)致生產(chǎn)效率低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種芯片貼裝的工藝，以減少加工工序、縮短加工周期以及降低產(chǎn)品的加工成本。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種芯片貼裝的工藝，包括以下步驟：

S1對(duì)晶圓進(jìn)行切割并得到多個(gè)芯片；

S2在已得到的多個(gè)芯片的正面貼設(shè)第一保護(hù)膜；

S3對(duì)已貼有第一保護(hù)膜的芯片的背面進(jìn)行研磨打薄至預(yù)設(shè)厚度；

S4將已研磨打薄后的芯片背面貼上第二保護(hù)膜；

S5去除已貼有第二保護(hù)膜的芯片上的第一保護(hù)膜；

S6將已去除第一保護(hù)膜的芯片上的第二保護(hù)膜去除；

S7使已去除第二保護(hù)膜的芯片的背面蘸膠，所述膠的固化溫度為60～80℃；

S8將已背面蘸膠的芯片的背面貼裝到基板表面，所述基板設(shè)置在加熱軌道上；

S9完成芯片貼裝；

通過(guò)上述芯片貼裝的工藝，減少傳統(tǒng)的激光切割步驟和避免使用價(jià)格昂貴的DAF膜，從而減少加工工序、縮短加工周期以及降低產(chǎn)品的加工成本。

在一種可行的方案中，所述步驟S6具體包括：利用吸嘴吸抓已去除第一保護(hù)膜的芯片正面，使芯片的背面與第二保護(hù)膜脫離；

去除第二保護(hù)膜，從而便于進(jìn)行后續(xù)的芯片背面蘸膠工序。利用吸嘴吸抓芯片的方式，可以保證不損害芯片的表面，且能順利完成芯片的運(yùn)輸。

在一種可行的方案中，所述步驟S7具體包括：將吸抓的芯片移動(dòng)至蘸膠工位，所述蘸膠工位上設(shè)有盛膠容器，所述盛膠容器包括：板形主體，所述板形主體的上側(cè)設(shè)有盛膠槽，所述盛膠槽用于存放所述膠，將吸抓的芯片移動(dòng)至所述盛膠槽的底部，完成芯片的背面蘸膠；

使芯片背面充分蘸膠，以便后續(xù)的貼裝工序。