[發(fā)明專利]一種測(cè)試RAM的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811307894.3
• 申請(qǐng)日: 2018-11-05
• 公開（公告）號(hào): CN109545268A
• 公開（公告）日: 2019-03-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尹文芹;段媛媛;賈紅;程顯志;陳維新;韋嶔
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安智多晶微電子有限公司
• 主分類號(hào): G11C29/18
• 分類號(hào): G11C29/18;G11C29/36;G11C29/42
• 代理公司: 西安嘉思特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61230
• 代理人: 劉長春

本發(fā)明涉及一種測(cè)試RAM的方法，包括步驟：將第一數(shù)據(jù)寫入待測(cè)試RAM的地址單元中，其中，第一數(shù)據(jù)包括隨機(jī)數(shù)；讀取所述地址單元，得到第二數(shù)據(jù)；校驗(yàn)第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)，分別得到第一校驗(yàn)數(shù)據(jù)和第二校驗(yàn)數(shù)據(jù)；比較第一校驗(yàn)數(shù)據(jù)與第二校驗(yàn)數(shù)據(jù)是否一致。本發(fā)明實(shí)施例測(cè)試RAM的方法通過采用隨機(jī)數(shù)對(duì)RAM進(jìn)行測(cè)試，避免了測(cè)試數(shù)據(jù)過于片面的問題，測(cè)試覆蓋率高，使得RAM中的錯(cuò)誤能夠充分檢測(cè)出來，更有效地檢測(cè)了待測(cè)試RAM，從而提高了測(cè)試的可靠性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于存儲(chǔ)器測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種測(cè)試RAM的方法。

背景技術(shù)

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(random access memory，RAM)又稱作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器，也叫主存(內(nèi)存)。它可以隨時(shí)讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介。在使用這些RAM時(shí)，需要提前對(duì)RAM進(jìn)行判斷，以確保RAM能夠正常工作。

專利CN100343923C介紹了一種測(cè)試SDRAM器件的方法，包含如下步驟：a.將待測(cè)試SDRAM的工作模式設(shè)置為Full Page方式；b.激活需要訪問的待測(cè)試SDRAM的地址線和控制線，將測(cè)試數(shù)據(jù)通過其數(shù)據(jù)線寫入到相應(yīng)的存儲(chǔ)單元，在Full Page方式下會(huì)在連續(xù)的256個(gè)存儲(chǔ)單元寫入相同的數(shù)據(jù)；c.在多個(gè)時(shí)鐘信號(hào)下讀取待測(cè)試SDRAM的數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)，因?yàn)?56個(gè)單元內(nèi)容相同，所以在數(shù)據(jù)線上會(huì)循環(huán)出現(xiàn)相同數(shù)據(jù)而不需要和時(shí)鐘同步；d.比較讀取后的數(shù)據(jù)和測(cè)試數(shù)據(jù)，得到測(cè)試結(jié)果。

但是，在上述測(cè)試SDRAM器件的方法中，測(cè)試的數(shù)據(jù)并不充分，測(cè)試步驟b中提及Full Page方式下會(huì)寫入相同的數(shù)據(jù)(全1或者全0)，這會(huì)導(dǎo)致測(cè)試數(shù)據(jù)過于片面，如若某條地址線出現(xiàn)問題，寫入相同的數(shù)據(jù)會(huì)掩蓋這個(gè)錯(cuò)誤，從而降低了測(cè)試的可靠性；另外，上述測(cè)試SDRAM器件的方法雖測(cè)試中利用了多個(gè)時(shí)鐘信號(hào)，但最高頻率時(shí)鐘信號(hào)也是略微偏低，從而導(dǎo)致基于SDRAM測(cè)試不全面，只是針對(duì)SDRAM的功能進(jìn)行了測(cè)試，并未涉及到SDRAM的性能測(cè)試。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本發(fā)明提供了一種測(cè)試RAM的方法。本發(fā)明要解決的技術(shù)問題通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種測(cè)試RAM的方法，包括步驟：

將第一數(shù)據(jù)寫入待測(cè)試RAM的所述地址單元中；

讀取所述地址單元，得到第二數(shù)據(jù)；

校驗(yàn)所述第一數(shù)據(jù)和所述第二數(shù)據(jù)，分別得到第一校驗(yàn)數(shù)據(jù)和第二校驗(yàn)數(shù)據(jù)；

比較所述第一校驗(yàn)數(shù)據(jù)與所述第二校驗(yàn)數(shù)據(jù)是否一致。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，比較所述第一校驗(yàn)數(shù)據(jù)與所述第二校驗(yàn)數(shù)據(jù)是否一致，包括：

若所述第一校驗(yàn)數(shù)據(jù)與所述第二校驗(yàn)數(shù)據(jù)不一致，則停止測(cè)試；

若所述第一校驗(yàn)數(shù)據(jù)與所述第二校驗(yàn)數(shù)據(jù)一致，則判斷每個(gè)所述地址單元是否均完成測(cè)試。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，判斷每個(gè)所述地址單元是否均完成測(cè)試，包括：

若判斷每個(gè)所述地址單元未均完成測(cè)試，則對(duì)未完成測(cè)試的地址單元進(jìn)行測(cè)試；

若判斷每個(gè)所述地址單元均完成測(cè)試，則輸出產(chǎn)品合格信息。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述第一數(shù)據(jù)包括隨機(jī)數(shù)。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，還包括：根據(jù)所述RAM的位寬產(chǎn)生所述隨機(jī)數(shù)。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，校驗(yàn)所述第一數(shù)據(jù)和所述第二數(shù)據(jù)，包括：

使用循環(huán)校驗(yàn)碼CRC算法校驗(yàn)所述第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)。