[發(fā)明專利]存儲(chǔ)單元

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811307721.1
• 申請(qǐng)日: 2018-11-05
• 公開（公告）號(hào): CN109841646A
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 莫竣傑;郭仕奇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/22
• 分類號(hào): H01L27/22;G11C11/16
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó)

1.一種存儲(chǔ)單元，其特征在于，形成在一基板上方的一后端層上，包含：

一第一電極，具有多個(gè)側(cè)壁及一底表面設(shè)置在該后端層上方；

一第二電極，具有多個(gè)側(cè)壁及一底表面與該后端層接觸；以及

一磁穿隧接面，形成于該第一電極與該第二電極之間，其中該磁穿隧接面耦接至該第一電極的其中一側(cè)壁，且耦接至該第二電極的其中一側(cè)壁。