[發明專利]硅和硅鍺納米線結構

有效

• 申請號: 201811307141.2
• 申請日: 2011-11-23
• 公開（公告）號: CN109607475B
• 公開（公告）日: 2022-04-15
• 發明（設計）人: K·J·庫恩;S·金;R·里奧斯;S·M·賽亞;M·D·賈爾斯;A·卡佩爾拉尼;T·拉克什特;P·常;W·瑞馳梅迪
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L29/775
• 分類號: H01L29/775;H01L29/78;H01L29/786;H01L29/423;H01L29/417;H01L29/16;H01L29/06;H01L21/762;H01L21/335;H01L21/336;B82Y10/00
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 陳桂香;曹正建

本申請公開了硅和硅鍺納米線結構。描述了形成微電子結構的方法。這些方法的實施例包括形成納米線器件，該納米線器件包括：襯底，襯底包括位于間隔物附近的源極/漏極結構；以及位于間隔物之間的納米線溝道結構，其中納米線溝道結構在彼此之上垂直地層疊。

本申請是針對分案申請201610421227.2再次提出的分案申請。分案申請201610421227.2是PCT國際申請號為PCT/US2011/062059、國際申請日為2011年11月23日、進入中國國家階段的申請號為201180058034.0，題為“硅和硅鍺納米線結構”的申請的分案申請。

背景

隨著微電子器件尺寸攀升過15nm的節點，保持遷移率改善和短溝道控制對器件制造提出了挑戰。用于制造器件的納米線提供改善的短溝道控制。例如，硅鍺(Si_xGe_1-x)納米線溝道結構(其中x＜0.5)提供在可觀的Eg下的遷移率改善，這適用于利用較高電壓操作的許多傳統產品。此外，硅鍺(Si_xGe_1-x)納米線溝道(其中x＞0.5)在較低Eg下提供改善的遷移率(適用于例如移動/手持領域內的低電壓產品)。

附圖簡述

盡管說明書以特別指出和獨立地要求某些實施例的權利要求書作為結尾，但各實施例的優勢可從下面結合附圖對實施例的描述中得到更好的理解，在附圖中：

圖1a-1n示出根據各實施例形成結構的方法。

圖2a-2i示出根據各實施例形成結構的方法。

圖3a-3g示出根據各實施例形成結構的方法。

圖4a-4m示出根據各實施例形成結構的方法。

圖5a-5d示出根據各實施例形成結構的方法。

圖6示出根據各實施例的系統。

詳細描述

在對本發明實施例的如下詳細描述中，對示出可投入實踐的特定實施例的附圖作出參照。充分詳細地描述這些實施例，以使本領域技術人員將這些實施例投入實踐。要理解，各實施例盡管是不同的，但不一定是相互排斥的。例如，這里結合一個實施例描述的特定特征、結構或特性可在其它實施例中實現而不脫離它們的精神和范圍。另外要理解，可修正各公開實施例中的各個要素的位置或配置而不脫離它們的精神和范圍。因此，下面的詳細描述不具有限定意義，并且各實施例的范圍僅由適當解釋的所附權利權利要求連同這些權利要求授權的等效物的全部范圍來定義。在附圖中，相同的附圖標記貫穿若干附圖地表示相同或相似的功能。

描述了形成和利用諸如納米線器件結構之類的微電子結構的方法和相關結構。這些方法和結構可包括：形成包含襯底的納米線器件，該襯底包括源極/漏極結構，該源極/漏極結構包括在源極/漏極結構之間的納米線，其中該納米線溝道結構在彼此之上垂直地層疊。這里包括的各實施例隨著器件尺寸攀升過15nm這一節點時允許遷移率改善和短溝道控制。這些實施例進一步改善了溝道與襯底的絕緣，緩解了與間隔物間隙間距相關的電容以及通過納米線的垂直架構擴展(scaling)。