[發(fā)明專利]硅和硅鍺納米線結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811307141.2
• 申請(qǐng)日: 2011-11-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109607475B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-04-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: K·J·庫(kù)恩;S·金;R·里奧斯;S·M·賽亞;M·D·賈爾斯;A·卡佩爾拉尼;T·拉克什特;P·常;W·瑞馳梅迪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號(hào): H01L29/775
• 分類號(hào): H01L29/775;H01L29/78;H01L29/786;H01L29/423;H01L29/417;H01L29/16;H01L29/06;H01L21/762;H01L21/335;H01L21/336;B82Y10/00
• 代理公司: 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 陳桂香;曹正建

1.一種形成納米線器件的方法，包括：

在襯底上形成外延氧化物材料和外延半導(dǎo)體材料的交替層；

通過(guò)蝕刻所述交替層形成鰭結(jié)構(gòu)；

橫跨和在所述鰭結(jié)構(gòu)上形成間隔物；

從所述襯底上的源極/漏極區(qū)去除所述鰭結(jié)構(gòu)的一部分，然后在所述源極/漏極區(qū)上形成源極/漏極結(jié)構(gòu)，其中所述源極/漏極區(qū)位于所述間隔物附近；以及

從位于所述間隔物之間的所述鰭結(jié)構(gòu)中去除所述外延氧化物材料的一部分，從而至少部分地填充所述鰭結(jié)構(gòu)附近的間隙。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，由所述外延半導(dǎo)體材料形成的底部納米線被設(shè)置在所述外延氧化物材料上。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述外延氧化物部分地從所述鰭結(jié)構(gòu)中被去除。

4.一種形成納米線器件的方法，包括：

在襯底上形成外延硅鍺材料和外延硅材料的交替層；

通過(guò)蝕刻所述交替層形成鰭結(jié)構(gòu)并在所述鰭結(jié)構(gòu)附近形成溝槽；

橫跨和在所述鰭結(jié)構(gòu)上形成間隔物；

從所述襯底上的源極/漏極區(qū)去除所述鰭結(jié)構(gòu)的一部分；

用第二間隔物填充所述間隔物靠近所述鰭結(jié)構(gòu)的間隙；

在所述源極/漏極區(qū)上形成源極/漏極結(jié)構(gòu)，其中所述源極/漏極區(qū)位于所述間隔物附近；

從位于所述間隔物之間的鰭結(jié)構(gòu)去除所述外延 硅層和所述外延硅鍺層中的一者。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二間隔物材料包括間隔物類材料和低k材料中的至少一者。

6.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述間隔物中的間隙在所述間隔物的源極/漏極側(cè)上被填充。

7.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述間隔物中的間隙在所述間隔物的柵極側(cè)上被填充。

8.一種形成納米線器件的方法，包括：

在(100)襯底上形成外延硅鍺材料和外延硅材料的交替層，所述襯底包含111溝道；

通過(guò)蝕刻所述交替層形成鰭結(jié)構(gòu)并在所述鰭結(jié)構(gòu)附近形成溝槽；

橫跨和在所述鰭結(jié)構(gòu)上形成間隔物；

從所述襯底上的源極/漏極區(qū)去除所述鰭結(jié)構(gòu)的一部分，并隨后在所述源極/漏極區(qū)上形成源極/漏極結(jié)構(gòu)，其中所述源極/漏極區(qū)位于所述間隔物附近；

通過(guò)使用濕蝕從位于所述間隔物之間的鰭結(jié)構(gòu)去除所述外延硅層，所述濕蝕對(duì)硅具有選擇性而對(duì)硅鍺不具有選擇性，

其中，所述111溝道具有面向所述源極/漏極結(jié)構(gòu)的111平面，從而利用所述濕蝕的各向異性來(lái)至少部分地填充所述鰭結(jié)構(gòu)附近的間隙。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，在去除所述鰭結(jié)構(gòu)的SiGe納米線之間的所有硅之后部分地蝕刻硅鍺納米線。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述濕蝕包括各向異性蝕刻以使所述間隔物內(nèi)的側(cè)向蝕刻最小化。