[發明專利]存儲裝置在審
| 申請號: | 201811306234.3 | 申請日: | 2018-11-05 |
| 公開(公告)號: | CN110021328A | 公開(公告)日: | 2019-07-16 |
| 發明(設計)人: | 李漢埈;金承范;樸一漢 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | G11C16/08 | 分類號: | G11C16/08;G11C8/08 |
| 代理公司: | 北京市立方律師事務所 11330 | 代理人: | 李娜 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 字線 存儲單元 劣化 存儲裝置 讀取電壓 水平檢測電路 電壓發生器 改變提供 檢測 | ||
提供了一種存儲裝置,所述存儲裝置包括:向選定的字線提供讀取電壓并向多條未選定的字線提供通過電壓的電壓發生器;以及劣化水平檢測電路。所述選定的字線和所述未選定的字線連接到多個存儲單元。所述劣化水平檢測電路基于接收到所述讀取電壓的存儲單元的數據來檢測連接到所述選定的字線的存儲單元的劣化水平。連接到所述選定的字線的存儲單元和接收到所述讀取電壓的存儲單元包括在所述多個存儲單元中。所述電壓發生器基于所述劣化水平來改變提供給所述未選定的字線的所述通過電壓。
相關申請的交叉引用
本申請要求于2018年1月10日提交的韓國專利申請No.10-2018-0003475的優先權,其公開內容通過引用全部并入本文。
技術領域
本發明構思的示例性實施例涉及一種存儲裝置。
背景技術
半導體存儲裝置可以分類為易失性半導體存儲裝置和非易失性半導體存儲裝置。易失性半導體存儲裝置在讀取和寫入方面是快速的,但是局限性在于當切斷電源時存儲的數據丟失。相比之下,非易失性半導體存儲裝置在電源中斷時保存存儲在其中的數據。因此,非易失性半導體存儲裝置用于存儲需要保存的數據。
閃存裝置是非易失性存儲裝置的示例。閃存裝置已廣泛用于諸如下述設備的信息設備的語音和圖像數據存儲介質中:例如計算機、移動電話、智能電話、個人數字助理(PDA)、數碼相機、便攜式攝像機、錄音機、MP3播放器、手持式PC、游戲機、傳真機、掃描儀和打印機。近來,已經積極地研究了安裝在諸如智能電話的移動設備上的非易失性存儲裝置的大容量、高速輸入/輸出和低功耗技術。
發明內容
本發明構思的示例性實施例提供了一種基于連接到選定的字線的存儲單元的閾值電壓的劣化水平來改變提供給未選定的字線的通過電壓的存儲裝置。
根據本發明構思的示例性實施例,一種存儲裝置包括:向選定的字線提供讀取電壓并向多條未選定的字線提供通過電壓的電壓發生器;以及劣化水平檢測電路。所述選定的字線和所述未選定的字線連接到多個存儲單元。所述劣化水平檢測電路基于接收到所述讀取電壓的存儲單元的數據來檢測連接到所述選定的字線的存儲單元的劣化水平。連接到所述選定的字線的存儲單元和接收到所述讀取電壓的存儲單元包括在所述多個存儲單元中。所述電壓發生器基于所述劣化水平來改變提供給所述未選定的字線的所述通過電壓。
根據本發明構思的示例性實施例,一種存儲裝置包括電壓發生器、虛擬電壓供應單元、劣化水平檢測單元和通過電壓改變單元。所述電壓發生器向選定的字線提供讀取電壓并向多條未選定的字線提供通過電壓。所述選定的字線和所述未選定的字線連接到多個存儲單元。所述虛擬電壓供應單元在所述讀取電壓被提供給所述選定的字線之前向所述選定的字線提供虛擬電壓。所述劣化水平檢測電路基于接收到所述虛擬電壓的存儲單元的數據來檢測連接到所述選定的字線的存儲單元的劣化水平。連接到所述選定的字線的存儲單元和接收到所述虛擬電壓的存儲單元包括在所述多個存儲單元中。所述通過電壓改變電路基于所述劣化水平來改變提供給所述未選定的字線的所述通過電壓。
根據本發明構思的示例性實施例,一種存儲裝置包括存儲單元陣列和通過電壓改變電路。所述存儲單元陣列包括多個頁面。每個頁面包括多個存儲單元。所述通過電壓改變電路基于連接到選定的字線的頁面中所包括的存儲單元的劣化水平而改變提供給連接到未選定的字線的頁面的通過電壓。連接到所述未選定的字線的頁面和連接到所述選定的字線的頁面包括在所述多個頁面中。所述通過電壓改變電路將已經改變的所述通過電壓提供給連接到所述未選定的字線的頁面中的至少一個頁面。
附圖說明
通過參考附圖詳細描述本發明構思的示例性實施例,本發明構思的上述和其他特征將變得更加明顯,在附圖中:
圖1是根據本發明構思的示例性實施例的存儲系統的示意性框圖。
圖2是根據本發明構思的示例性實施例的包括在圖1的存儲系統中的存儲裝置的詳細框圖。
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