[發明專利]存儲裝置在審
| 申請號: | 201811306234.3 | 申請日: | 2018-11-05 |
| 公開(公告)號: | CN110021328A | 公開(公告)日: | 2019-07-16 |
| 發明(設計)人: | 李漢埈;金承范;樸一漢 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | G11C16/08 | 分類號: | G11C16/08;G11C8/08 |
| 代理公司: | 北京市立方律師事務所 11330 | 代理人: | 李娜 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 字線 存儲單元 劣化 存儲裝置 讀取電壓 水平檢測電路 電壓發生器 改變提供 檢測 | ||
1.一種存儲裝置,所述存儲裝置包括:
電壓發生器,所述電壓發生器向選定的字線提供讀取電壓并向多條未選定的字線提供通過電壓,其中,所述選定的字線和所述未選定的字線連接到多個存儲單元;以及
劣化水平檢測電路,所述劣化水平檢測電路基于接收到所述讀取電壓的存儲單元的數據來檢測連接到所述選定的字線的存儲單元的劣化水平,
其中,連接到所述選定的字線的存儲單元和接收到所述讀取電壓的存儲單元包括在所述多個存儲單元中,
其中,所述電壓發生器基于所述劣化水平來改變提供給所述未選定的字線的所述通過電壓。
2.根據權利要求1所述的存儲裝置,其中,所述劣化水平檢測電路通過基于接收到所述讀取電壓的所述存儲單元的數據對與所述讀取電壓相對應的接通單元和關斷單元中的至少一者進行計數,來確定接收到所述讀取電壓的所述存儲單元的閾值電壓的變化。
3.根據權利要求2所述的存儲裝置,其中,所述劣化水平檢測電路基于接收到所述讀取電壓的所述存儲單元的所述閾值電壓的變化來檢測所述劣化水平。
4.根據權利要求2所述的存儲裝置,其中,所述電壓發生器基于所述閾值電壓的變化來改變所述通過電壓。
5.根據權利要求4所述的存儲裝置,其中,所述電壓發生器響應于所述閾值電壓的變化而減小所述通過電壓。
6.根據權利要求1所述的存儲裝置,其中,所述電壓發生器順序地多次提供所述讀取電壓以讀取位頁面,并且在施加在后讀取電壓的時間段內提供已經基于多個讀取電壓中的先前讀取電壓而改變的通過電壓。
7.根據權利要求1所述的存儲裝置,其中,所述電壓發生器順序地多次提供所述讀取電壓以讀取包括第一多個位頁面的頁面,并且在在后的位頁面的讀取操作時提供已經基于在第二多個位頁面中的先前的位頁面中檢測到的劣化水平而改變了的通過電壓。
8.一種存儲裝置,所述存儲裝置包括:
電壓發生器,所述電壓發生器向選定的字線提供讀取電壓并向多條未選定的字線提供通過電壓,其中,所述選定的字線和所述未選定的字線連接到多個存儲單元;
虛擬電壓供應單元,所述虛擬電壓供應單元在所述讀取電壓被提供給所述選定的字線之前向所述選定的字線提供虛擬電壓;
劣化水平檢測電路,所述劣化水平檢測電路基于接收到所述虛擬電壓的存儲單元的數據來檢測連接到所述選定的字線的存儲單元的劣化水平,
其中,連接到所述選定的字線的存儲單元和接收到所述虛擬電壓的存儲單元包括在所述多個存儲單元中;以及
通過電壓改變電路,所述通過電壓改變電路基于所述劣化水平來改變提供給所述未選定的字線的所述通過電壓。
9.根據權利要求8所述的存儲裝置,其中,所述虛擬電壓供應單元在單個頁面的多個位頁面中的每個位頁面的讀取操作之前多次提供所述虛擬電壓。
10.根據權利要求8所述的存儲裝置,其中,所述虛擬電壓供應單元在單個頁面的讀取操作之前提供所述虛擬電壓。
11.根據權利要求8所述的存儲裝置,其中,所述劣化水平檢測電路基于接收到所述虛擬電壓的所述存儲單元的閾值電壓的變化來檢測所述劣化水平。
12.根據權利要求11所述的存儲裝置,其中,所述通過電壓改變電路響應于所述閾值電壓的變化而減小所述通過電壓。
13.根據權利要求8所述的存儲裝置,其中,所述通過電壓改變電路在施加所述讀取電壓的時間段內提供已經改變的通過電壓。
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