[發(fā)明專(zhuān)利]基板支撐裝置以及包括該基板支撐裝置的基板清潔設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811306194.2
• 申請(qǐng)日: 2018-11-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110047794A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳鐘根;任京彬;金炳局
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/683
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/683;H01L21/67
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 王新華

1.一種用于基板的支撐裝置，所述支撐裝置包括：

支撐件，所述基板可裝載在該支撐件上；

轉(zhuǎn)子，旋轉(zhuǎn)所述支撐件；以及

振蕩器，在垂直于所述基板的表面的方向上使所述基板振蕩，

其中所述基板根據(jù)所述基板的自然頻率或者所述基板上的顆粒的自然頻率振蕩。

2.如權(quán)利要求1所述的支撐裝置，其中：

所述自然頻率的共振頻率f₀由下面的等式1定義，

所述基板以所述共振頻率的0.5倍至所述共振頻率的1.5倍的共振頻帶振蕩，

[等式1]

共振頻率f₀＝1/2π·√(k/m)，并且

在等式1中，k是指所述基板或所述基板上的所述顆粒的彈性常數(shù)，并且m是指所述基板或所述基板上的所述顆粒的質(zhì)量。

3.如權(quán)利要求2所述的支撐裝置，其中所述基板以所述共振頻率振蕩。

4.如權(quán)利要求1所述的支撐裝置，其中：

所述基板包括SiO₂，并且

所述基板以7.7kHz至23.1kHz的頻帶振蕩。

5.如權(quán)利要求4所述的支撐裝置，其中所述基板以15.4kHz的頻率振蕩。

6.如權(quán)利要求1所述的支撐裝置，其中：

所述基板上的所述顆粒包括SiO₂，并且

所述基板以0.085kHz至0.255kHz的頻帶振蕩。

7.如權(quán)利要求6所述的支撐裝置，其中所述基板以0.17kHz的頻率振蕩。

8.如權(quán)利要求1所述的支撐裝置，其中：

所述轉(zhuǎn)子關(guān)于旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)所述支撐件，所述旋轉(zhuǎn)軸與所述基板的中心垂直地重合，并且

所述振蕩器的中心與所述旋轉(zhuǎn)軸垂直地重合。

9.如權(quán)利要求8所述的支撐裝置，其中：

所述支撐件設(shè)置在所述轉(zhuǎn)子的一個(gè)表面上，并且

所述振蕩器設(shè)置在所述轉(zhuǎn)子的另一個(gè)表面上。

10.如權(quán)利要求8所述的支撐裝置，其中：

所述支撐件設(shè)置在所述轉(zhuǎn)子的一個(gè)表面上，并且

所述振蕩器設(shè)置在所述支撐件的一個(gè)表面上。

11.如權(quán)利要求1所述的支撐裝置，其中：

所述振蕩器包括多個(gè)壓電元件，并且

所述多個(gè)壓電元件沿著所述支撐件的周邊以等距離的間隔布置。

12.如權(quán)利要求1所述的支撐裝置，其中：

所述振蕩器包括至少一對(duì)壓電元件，并且

所述至少一對(duì)壓電元件彼此面對(duì)而使所述支撐件的中心插置在其間。

13.如權(quán)利要求1所述的支撐裝置，其中所述基板是其上形成電路圖案的掩模或晶片。

14.如權(quán)利要求1所述的支撐裝置，還包括固定器，該固定器形成在所述支撐件的邊緣上并包括其中可插入所述基板的邊緣的凹入部分。

15.如權(quán)利要求1所述的支撐裝置，其中所述支撐件是靜電吸盤(pán)，該靜電吸盤(pán)包括電極和圍繞所述電極的絕緣體。