[發(fā)明專利]具有垂直串驅(qū)動器瓦片架構(gòu)的分布式塊選擇的存儲器裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811305871.9 | 申請日： | 2018-11-05 |
| 公開（公告）號： | CN109801649A | 公開（公告）日： | 2019-05-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | E·N·李 | 申請（專利權(quán)）人： | 美光科技公司 |
| 主分類號： | G11C5/02 | 分類號： | G11C5/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人： | 王龍 |
| 地址： | 美國愛*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 瓦片 存儲器裝置 驅(qū)動器 存儲器陣列 塊選擇電路 垂直 頁緩沖電路 塊選擇 架構(gòu) 頁緩沖區(qū) 平面的 瓦片區(qū) 耦合的 外部 | ||
本發(fā)明揭示具有垂直串驅(qū)動器瓦片架構(gòu)的分布式塊選擇的存儲器裝置。所述存儲器裝置可包含具有多個瓦片對的第一平面，其中所述第一平面的所述瓦片對中的至少一些包含分布式塊選擇電路及頁緩沖電路。另一存儲器裝置可包含存儲器陣列及陣列下CMOS區(qū)。至少一些瓦片區(qū)可包含遍及所述CUA區(qū)分布的塊選擇電路的總量的部分、位于所述存儲器陣列外部的垂直串驅(qū)動器及與所述存儲器陣列耦合的頁緩沖電路。另一存儲器裝置可包含第一瓦片對，所述第一瓦片對包含第一瓦片、第二瓦片、介于所述第一瓦片與所述第二瓦片之間的第一垂直串驅(qū)動器、占大于所述第一瓦片對的區(qū)域的50％的第一頁緩沖區(qū)及分布式塊選擇電路的第一部分。
本申請案主張2017年11月17日提出申請的標(biāo)題為“具有垂直串驅(qū)動器瓦片架構(gòu)的分布式塊選擇的存儲器裝置(Memory Devices with Distributed Block Select for aVertical String Driver Tile Architecture)”的序列號為15/816,484的美國專利申請案的申請日期的權(quán)益。
技術(shù)領(lǐng)域
在各種實(shí)施例中，本發(fā)明一般來說涉及存儲器裝置架構(gòu)的領(lǐng)域。更特定來說，本發(fā)明涉及具有具分布式塊選擇電路的瓦片架構(gòu)的存儲器裝置的設(shè)計(jì)及制作。
背景技術(shù)
例如用于NAND或NOR存儲器中的存儲器裝置的存儲器塊可包括共享同一組存取線的存儲器單元串的群組。存儲器塊可分組成一或多個頁(也稱為“瓦片”)，且每一頁可包括與串的群組中的每一者的相應(yīng)層的至少一部分對應(yīng)的存儲器單元。
圖1是包含瓦片群組100的存儲器裝置的一部分的常規(guī)架構(gòu)的簡化示意圖，瓦片群組100包含第一瓦片105A及第二瓦片105B。在此常規(guī)架構(gòu)中，第一瓦片105A與第二瓦片105B沿Y方向彼此偏移，垂直串驅(qū)動器電路125介于第一瓦片105A與第二瓦片105B之間。圖1中所展示的瓦片群組100的一部分是位于存儲器陣列下的陣列下CMOS(CUA)空間的部分。因此，瓦片群組105A、105B耦合到存儲器陣列，未展示所述存儲器陣列以便不使圖模糊。
每一瓦片105A、105B包含通過塊選擇線122耦合到垂直串驅(qū)動器電路125的塊選擇電路120，垂直串驅(qū)動器電路125又耦合到存取線(例如，字線)，所述存取線耦合到存儲器陣列。耦合塊選擇電路120與垂直串驅(qū)動器電路125的塊選擇線122為了簡化起見被展示為單個線，然而，應(yīng)理解，塊選擇線122包含多個線，但為了簡化起見而展示單個線。每一瓦片105A、105B可進(jìn)一步包含可用于存儲器陣列的包含于CUA空間內(nèi)可為有益的額外電路130(例如外圍電路)及/或其它支持電路(例如，電荷泵、控制器等)的空間。在常規(guī)架構(gòu)布局中，大約一半(50％)的空間由頁緩沖器110占據(jù)，這部分地因?yàn)閴K選擇電路120的配置。因此，頁緩沖器110的配置的靈活性可受限。塊選擇電路120服務(wù)于瓦片群組100且分裂于第一瓦片105A與第二瓦片105B之間但位于垂直串驅(qū)動器電路125的相對端上以便耦合到其不同部分。
圖2是瓦片群組的常規(guī)架構(gòu)的簡化示意圖，所述瓦片群組包含具有多個瓦片群組(例如，105A及105B)的多個平面108A、108B。特定來說，第一平面108A包含瓦片105A到105H且第二平面108B包含瓦片105I到105P。在此常規(guī)架構(gòu)中，圖1中所展示的瓦片群組經(jīng)復(fù)制以形成平面108A、108B。如同圖1，每一瓦片群組包含分裂于瓦片群組的兩個瓦片之間的塊選擇電路120。因此，每一瓦片105A到105P可具有占據(jù)大約50％的瓦片空間的頁緩沖器110，且任何額外電路130的放置可固定到瓦片的另一半上的未被塊選擇電路120占據(jù)的剩余區(qū)域。
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