[發(fā)明專利]具有垂直串驅動器瓦片架構的分布式塊選擇的存儲器裝置

在審

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• 申請日: 2018-11-05
• 公開（公告）號: CN109801649A
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發(fā)明（設計）人: E·N·李
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C5/02
• 分類號: G11C5/02
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種具有瓦片架構的存儲器裝置，所述存儲器裝置包括：

第一平面，其具有多個瓦片對，其中所述第一平面的所述瓦片對中的至少一些包含分布式塊選擇電路及頁緩沖電路。

2.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述塊選擇電路是跨越所述第一平面中的所有瓦片分布。

3.根據權利要求2所述的存儲器裝置，其中所述塊選擇電路是跨越所述第一平面中的所有瓦片均勻地分布。

4.根據權利要求2所述的存儲器裝置，其中所述塊選擇電路是跨越所述第一平面中的所述瓦片非均勻地分布。

5.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述塊選擇電路是僅跨越所述第一平面中的所述瓦片的子組分布。

6.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其進一步包括具有多個瓦片對的第二平面。

7.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其進一步包括包含所述第一平面的陣列下CMOS區(qū)。

8.根據權利要求7所述的存儲器裝置，其進一步包括與所述陣列下CMOS區(qū)耦合的存儲器陣列。

9.根據權利要求8所述的存儲器裝置，其中所述存儲器陣列是三維存儲器陣列。

10.一種具有瓦片架構的存儲器裝置，所述存儲器裝置包括：

第一瓦片對，其包含第一瓦片、第二瓦片、介于所述第一瓦片與所述第二瓦片之間的第一垂直串驅動器、占大于所述第一瓦片對的區(qū)域的50％的第一頁緩沖區(qū)及分布式塊選擇電路的第一部分；及

第二瓦片對，其包含第三瓦片、第四瓦片及介于所述第三瓦片與所述第四瓦片之間的第二垂直串驅動器、占大于所述第二瓦片對的區(qū)域的50％的第二頁緩沖區(qū)以及分布式塊選擇電路的第二部分，

其中所述分布式塊選擇電路的所述第一部分及所述第二部分各自耦合到所述第一垂直串驅動器及所述第二垂直串驅動器。

11.根據權利要求10所述的存儲器裝置，其進一步包括耦合到所述第一及第二頁緩沖區(qū)以及所述分布式塊選擇電路的存儲器陣列。

12.根據權利要求11所述的存儲器裝置，其中所述第一瓦片對及所述第二瓦片對各自包含鄰近于所述相應分布式塊選擇電路的包含所述存儲器陣列的外圍電路的空間。

13.根據權利要求11所述的存儲器裝置，其進一步包括額外瓦片對。

14.根據權利要求13所述的存儲器裝置，其中所述額外瓦片對中的至少一些包含所述分布式塊選擇電路的部分。

15.根據權利要求14所述的存儲器裝置，其中所述額外瓦片對中的全部包含所述分布式塊選擇電路的部分。

16.根據權利要求14所述的存儲器裝置，其中所述額外瓦片對中的至少一些不包含所述分布式塊選擇電路的任何部分。

17.根據權利要求16所述的存儲器裝置，其中不包含所述分布式塊選擇電路的任何部分的所述額外瓦片對包含額外頁緩沖區(qū)。

18.根據權利要求17所述的存儲器裝置，其中所述額外頁緩沖區(qū)占大于其相應瓦片群組的區(qū)域的50％。

19.根據權利要求17所述的存儲器裝置，其中至少一些鄰近瓦片群組包含連續(xù)的外圍電路區(qū)域。