[發明專利]硅基襯底、襯底基板及其制造方法、光電器件在審
| 申請號： | 201811303611.8 | 申請日： | 2018-11-02 |
| 公開（公告）號： | CN111146320A | 公開（公告）日： | 2020-05-12 |
| 發明（設計）人： | 趙壯;劉磊;樂阮平;王霆;張建軍 | 申請（專利權）人： | 華為技術有限公司;中國科學院物理研究所 |
| 主分類號： | H01L33/22 | 分類號： | H01L33/22;H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/16;H01L33/30 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人： | 肖慶武 |
| 地址： | 518129 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 襯底 及其 制造 方法 光電 器件 | ||
1.一種襯底基板，其特征在于，包括：
硅基襯底，所述硅基襯底的一面具有周期性的凸起結構，每個所述凸起結構的側面與底面存在傾角；
設置在所述硅基襯底具有所述凸起結構的一面上的三五族材料層。
2.根據權利要求1所述的襯底基板，其特征在于，
所述硅基襯底具有所述周期性的凸起結構的表面為硅(111)晶面。
3.根據權利要求2所述的襯底基板，其特征在于，
所述硅基襯底包括：一面具有周期性的凹槽的子硅基襯底；以及設置在所述子硅基襯底具有所述凹槽的一面上的硅中間層，所述硅中間層由所述周期性的凸起結構組成；
其中，每個所述凸起結構位于兩個相鄰凹槽之間的間隔結構上，每兩個相鄰的所述凸起結構的側面鄰接。
4.根據權利要求3所述的襯底基板，其特征在于，
所述子硅基襯底具有所述周期性的凹槽的表面為硅(110)晶面。
5.根據權利要求1至4任一所述的襯底基板，其特征在于，所述三五族材料層包括在所述硅基襯底具有所述凸起結構的一面上依次疊加設置的三五族材料緩沖層和三五族位錯過濾層，所述三五族材料緩沖層用于緩沖所述硅基襯底的晶格失配，所述三五族位錯過濾層用于過濾所述硅基襯底的位錯。
6.根據權利要求5所述的襯底基板，其特征在于，
所述三五族材料緩沖層包括：
依次疊加設置在所述硅基襯底具有所述凸起結構的一面上的AlAs晶層和GaAs晶層。
7.根據權利要求5所述的襯底基板，其特征在于，
所述三五族位錯過濾層包括：疊加設置的m個周期的第一量子阱結構層，每個周期的所述第一量子阱結構層包括依次疊加的In0.15Ga0.85As晶層和GaAs晶層，m為正整數。
8.根據權利要求7所述的襯底基板，其特征在于，所述三五族位錯過濾層還包括：疊加在所述m個周期的第一量子阱結構層上的n個周期的第二量子阱結構層以及p個周期的超晶格結構，所述n個周期的第二量子阱結構層疊加設置，所述p個周期的超晶格結構疊加設置，n和p為正整數；
每個周期的所述第二量子阱結構層包括依次疊加的In0.15Al0.85As晶層和GaAs晶層；
每個周期的所述超晶格結構包括依次疊加的Al0.6Ga0.4As晶層和GaAs晶層。
9.根據權利要求8所述的襯底基板，其特征在于，m＝n＝p＝5。
10.一種硅基襯底，其特征在于，包括：
一面具有周期性的凹槽的子硅基襯底；以及設置在所述凹槽上的硅中間層，所述硅中間層由所述周期性的凸起結構組成；
其中，每個所述凸起結構位于兩個相鄰凹槽之間的間隔結構上，每兩個相鄰的所述凸起結構的側面鄰接；
所述硅基襯底具有所述周期性的凸起結構的表面為硅(111)晶面。
11.根據權利要求10所述的硅基襯底，其特征在于，
所述子硅基襯底具有所述周期性的凹槽的表面為硅(110)晶面。
12.一種襯底基板的制造方法，其特征在于，包括：
制造硅基襯底，所述硅基襯底的一面具有周期性的凸起結構，每個所述凸起結構的側面與底面存在傾角；
在所述硅基襯底具有所述凸起結構的一面上形成三五族材料層。
13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，
所述硅基襯底具有所述周期性的凸起結構的表面為硅(111)晶面。
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