[發明專利]熱電器件和用于形成熱電器件的方法

在審

• 申請號: 201811301386.4
• 申請日: 2018-11-02
• 公開（公告）號: CN109755378A
• 公開（公告）日: 2019-05-14
• 發明（設計）人: C.卡斯特蘭;A.布雷梅澤;M.門格爾;A.尼德霍費爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L35/32
• 分類號: H01L35/32;H01L35/34
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 徐紅燕;申屠偉進

公開了熱電器件和用于形成熱電器件的方法。該熱電器件包括多個第一半導體臺面結構，其具有第一導電性類型。此外，熱電器件包括多個第二半導體臺面結構，其具有第二導電性類型。多個第一半導體臺面結構中的第一半導體臺面結構和多個第二半導體臺面結構中的第二半導體臺面結構被串聯電連接。熱電器件進一步包括玻璃結構，其橫向位于多個第一半導體臺面結構中的第一半導體臺面結構和多個第二半導體臺面結構中的第二半導體臺面結構之間。所述玻璃結構將多個第一半導體臺面結構中的第一半導體臺面結構與多個第二半導體臺面結構中的第二半導體臺面結構橫向地電絕緣。

技術領域

示例涉及用于基于半導體的熱電器件的概念，并且特別涉及熱電器件和用于形成熱電器件的方法。

背景技術

熱電器件可以用于將溫度差轉換成電壓，并且反之亦然。當熱電器件的側面處于不同的溫度時，熱電器件可以產生電壓。相反，當電壓施加到熱電器件時，可以生成熱電器件的側面之間的溫度差。熱電器件可以被優化用于高轉換效率和/或低制造成本。

發明內容

可以存在對于提供用于熱電器件的改進的概念的需求。

一些實施例涉及熱電器件。熱電器件包括多個第一半導體臺面（mesa）結構，其具有第一導電性類型。此外，熱電器件包括多個第二半導體臺面結構，其具有第二導電性類型。多個第一半導體臺面結構中的第一半導體臺面結構和多個第二半導體臺面結構中的第二半導體臺面結構被串聯電連接。熱電器件進一步包括玻璃結構，其橫向（laterally）位于多個第一半導體臺面結構中的第一半導體臺面結構和多個第二半導體臺面結構中的第二半導體臺面結構之間。所述玻璃結構將多個第一半導體臺面結構中的第一半導體臺面結構與多個第二半導體臺面結構中的第二半導體臺面結構橫向地電絕緣。

一些實施例涉及熱電器件。熱電器件包括多個第一半導體臺面結構，其具有第一導電性類型。此外，熱電器件包括多個第二半導體臺面結構，其具有第二導電性類型。多個第二半導體臺面結構中的第二半導體臺面結構和多個第一半導體臺面結構中的第一半導體臺面結構在至少第一橫向方向上交替布置。另外，位于在第一橫向方向上最接近的多個第一半導體臺面結構中的兩個第一半導體臺面結構之間的第一橫向距離不同于位于在第二橫向方向上最接近的多個第一半導體臺面結構中的兩個第一半導體臺面結構之間的第二橫向距離達多于第一橫向距離的10%。

一些實施例涉及用于形成熱電器件的方法。所述方法包括在第一半導體襯底處形成多個第一半導體臺面結構。第一半導體襯底具有第一導電性類型。此外，所述方法包括在第二半導體襯底處形成多個第二半導體臺面結構。第二半導體襯底具有第二導電性類型。所述方法還包括在第一半導體襯底與第二半導體襯底之間提供玻璃襯底。此外，所述方法包括將第一半導體襯底連接到第二半導體襯底，以使得玻璃襯底的至少一部分橫向地位于多個第一半導體臺面結構中的第一半導體臺面結構與多個第二半導體臺面結構中的第二半導體臺面結構之間。

一些實施例涉及用于形成熱電器件的方法。所述方法包括形成延伸到第一半導體襯底中的多個第一溝槽。多個第一溝槽中的第一溝槽沿第一橫向方向延伸。另外，第一半導體襯底具有第一導電性類型。此外，所述方法包括形成延伸到第一半導體襯底中的多個第二溝槽。多個第二溝槽中的第二溝槽沿第二橫向方向延伸以在第一半導體襯底處形成多個第一半導體臺面結構。所述方法還包括形成延伸到第二半導體襯底中的多個第三溝槽。多個第三溝槽中的第三溝槽沿第三橫向方向延伸。此外，第二半導體襯底具有第二導電性類型。另外，所述方法包括形成延伸到第二半導體襯底中的多個第四溝槽。多個第四溝槽中的第四溝槽沿第四橫向方向延伸以在第二半導體襯底處形成多個第二半導體臺面結構。所述方法此外包括將第一半導體襯底連接到第二半導體襯底。

附圖說明

將在以下僅通過示例的方式，并且參考附圖描述裝置和/或方法的一些示例，其中

圖1示出熱電器件的一部分的示意性橫截面；

圖2示出另一個熱電器件的一部分的示意性頂視圖；