[發明專利]熱電器件和用于形成熱電器件的方法

在審

• 申請號: 201811301386.4
• 申請日: 2018-11-02
• 公開（公告）號: CN109755378A
• 公開（公告）日: 2019-05-14
• 發明（設計）人: C.卡斯特蘭;A.布雷梅澤;M.門格爾;A.尼德霍費爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L35/32
• 分類號: H01L35/32;H01L35/34
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 徐紅燕;申屠偉進

1.一種熱電器件（100、200、400、600、700、800），其包括：

多個第一半導體臺面結構（110），其具有第一導電性類型；

多個第二半導體臺面結構（120），其具有第二導電性類型，其中多個第一半導體臺面結構（110）中的第一半導體臺面結構（110）和多個第二半導體臺面結構（120）中的第二半導體臺面結構（120）被串聯電連接；以及

玻璃結構（130），其包括硼硅酸鹽玻璃、硼鋅玻璃和低轉變溫度玻璃中的至少一個，其中玻璃結構（130）橫向布置在多個第一半導體臺面結構（110）中的第一半導體臺面結構（110）和多個第二半導體臺面結構（120）中的第二半導體臺面結構（120）之間，其中玻璃結構（130）將多個第一半導體臺面結構（110）中的第一半導體臺面結構（110）與多個第二半導體臺面結構（120）中的第二半導體臺面結構（120）橫向地電絕緣。

2.根據權利要求1所述的熱電器件，還包括多個金屬化結構（140），其位于多個第一半導體臺面結構（110）中的第一半導體臺面結構（110）和多個第二半導體臺面結構（120）中的第二半導體臺面結構（120）的一側，其中多個金屬化結構（140）中的每一個金屬化結構（140）將多個第一半導體臺面結構（110）中的第一半導體臺面結構（110）電連接到多個第二半導體臺面結構（120）中的第二半導體臺面結構（120）。

3.根據權利要求1或2所述的熱電器件，其中玻璃結構（130）的熱膨脹系數大于多個第一半導體臺面結構（110）中的第一半導體臺面結構（110）的熱膨脹系數的50%并且小于其200%。

4.根據前述權利要求中任一項所述的熱電器件，其中多個第一半導體臺面結構（110）中的第一半導體臺面結構（110）和多個第二半導體臺面結構（120）中的第二半導體臺面結構（120）包括硅、鍺、硅鍺和碲化鉍中的至少一個。

5.根據前述權利要求中任一項所述的熱電器件，其中多個第一半導體臺面結構（110）中的第一半導體臺面結構（110）和多個第二半導體臺面結構（120）中的第二半導體臺面結構（120）具有大于25μm且小于250μm的最大橫向尺寸。

6.根據前述權利要求中任一項所述的熱電器件，其中多個第一半導體臺面結構（110）中的第一半導體臺面結構（110）和多個第二半導體臺面結構（120）中的第二半導體臺面結構（120）具有大于200μm且小于1mm的垂直尺寸。

7.根據前述權利要求中任一項所述的熱電器件，其中多個第一半導體臺面結構（110）中的第一半導體臺面結構（110）和多個第二半導體臺面結構（120）中的第二半導體臺面結構（120）之間的最小橫向距離小于多個第一半導體臺面結構（110）中的第一半導體臺面結構（110）的最大橫向尺寸的75%。

8.一種熱電器件（100、200、400、600、700、800），其包括：

多個第一半導體臺面結構（110），其具有第一導電性類型；以及

多個第二半導體臺面結構（120），其具有第二導電性類型，其中多個第二半導體臺面結構（120）中的第二半導體臺面結構（120）和多個第一半導體臺面結構（110）中的第一半導體臺面結構（110）在至少第一橫向方向（210）上交替地布置；

其中，位于在第一橫向方向（210）上最接近的多個第一半導體臺面結構（110）中的兩個第一半導體臺面結構（110）之間的第一橫向距離（220）不同于位于在第二橫向方向（240）上最接近的多個第一半導體臺面結構（110）中的兩個第一半導體臺面結構（110）之間的第二橫向距離（230）達多于第一橫向距離（220）的10%。