[發(fā)明專利]液體化學(xué)回收系統(tǒng)、供應(yīng)系統(tǒng)和制造半導(dǎo)體裝置的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811300516.2 | 申請日: | 2018-11-02 |
| 公開(公告)號: | CN110176408A | 公開(公告)日: | 2019-08-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金伶厚;樸晟見;盧炫佑;車知勳;崔溶俊 | 申請(專利權(quán))人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;B01D35/02;B01D35/16 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉燦強;董婷 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 液體化學(xué)品 緩沖槽 液體化學(xué) 回收系統(tǒng) 真空槽 半導(dǎo)體裝置 供應(yīng)系統(tǒng) 真空泵 外部提供 物質(zhì)積累 向下傾斜 回收槽 制造 回收 外部 | ||
提供了液體化學(xué)回收系統(tǒng)、液體化學(xué)供應(yīng)系統(tǒng)和制造半導(dǎo)體裝置的方法。液體化學(xué)回收系統(tǒng)包括:緩沖槽,從外部接收第一液體化學(xué)品;真空槽,具有連接至此的真空泵并使用真空泵從緩沖槽接收第一液體化學(xué)品;以及回收槽,從真空槽接收第一液體化學(xué)品并向外部提供作為回收的第一液體化學(xué)品的第二液體化學(xué)品,其中,緩沖槽包括提供第一液體化學(xué)品的第一注入部分以及將第一液體化學(xué)品提供到真空槽的第一供應(yīng)部分,并且緩沖槽的底部朝向第一供應(yīng)部分向下傾斜,以防止包含在第一液體化學(xué)品中的物質(zhì)積累在緩沖槽中。
于2018年2月20日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的名稱為“液體化學(xué)回收系統(tǒng)、液體化學(xué)供應(yīng)系統(tǒng)和使用液體化學(xué)回收系統(tǒng)制造半導(dǎo)體裝置的方法”的第10-2018-0019746號韓國專利申請通過引用全部包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
實施例涉及液體化學(xué)回收系統(tǒng)、液體化學(xué)供應(yīng)系統(tǒng)和使用液體化學(xué)回收系統(tǒng)制造半導(dǎo)體裝置的方法。
背景技術(shù)
隨著半導(dǎo)體世代的更新,蝕刻設(shè)備的世代已經(jīng)從批量式硅蝕刻設(shè)備轉(zhuǎn)變?yōu)閱尉臀g刻設(shè)備。
發(fā)明內(nèi)容
實施例涉及一種液體化學(xué)回收系統(tǒng),所述液體化學(xué)回收系統(tǒng)包括:緩沖槽,從外部接收第一液體化學(xué)品;真空槽,具有連接至此的真空泵并使用真空泵從緩沖槽接收第一液體化學(xué)品;以及回收槽,從真空槽接收第一液體化學(xué)品,并向外部提供作為回收的第一液體化學(xué)品的第二液體化學(xué)品,其中,緩沖槽包括提供第一液體化學(xué)品的第一注入部分以及將第一液體化學(xué)品提供到真空槽的第一供應(yīng)部分,緩沖槽的底部朝向第一供應(yīng)部分向下傾斜,以防止包含在第一液體化學(xué)品中的物質(zhì)積累在緩沖槽中。
實施例也涉及一種液體化學(xué)供應(yīng)系統(tǒng),所述液體化學(xué)供應(yīng)系統(tǒng)包括:第一儲存槽,包括第一液位傳感器并儲存第一液體化學(xué)品;第二儲存槽,包括第二液位傳感器并儲存第二液體化學(xué)品;主槽,連接到第一儲存槽和第二儲存槽,并接收第一液體化學(xué)品和第二液體化學(xué)品中的一個;工藝腔室,從主槽接收第一液體化學(xué)品和第二液體化學(xué)品中的一個,并且在其中執(zhí)行濕法蝕刻工藝;緩沖槽,從工藝腔室接收在濕法蝕刻工藝中使用的第三液體化學(xué)品;以及真空槽,包括第三液位傳感器并從緩沖槽接收第三液體化學(xué)品,其中,第三液體化學(xué)品沿著緩沖槽的傾斜表面被提供到真空槽,以防止包含在第三液體化學(xué)品中的物質(zhì)積累在緩沖槽中。
實施例還涉及一種制造半導(dǎo)體裝置的方法,所述方法包括:提供包括第一薄膜的基底;通過對基底執(zhí)行濕法蝕刻工藝去除第一薄膜的至少一部分,其中,濕法蝕刻工藝涉及使用液體化學(xué)回收系統(tǒng),并且液體化學(xué)回收系統(tǒng)包括:緩沖槽,從工藝腔室接收第一液體化學(xué)品;真空槽,具有連接至此的真空泵,并使用真空泵并從緩沖槽接收第一液體化學(xué)品;以及回收槽,從真空槽接收第一液體化學(xué)品,并向工藝腔室提供作為回收的第一液體化學(xué)品的第二液體化學(xué)品,其中,緩沖槽包括提供第一液體化學(xué)品的第一注入部分和將第一液體化學(xué)品提供到真空槽的第一供應(yīng)部分,并且緩沖槽的底部朝向第一供應(yīng)部分向下傾斜,以防止包含在第一液體化學(xué)品中的物質(zhì)積累在緩沖槽中。
附圖說明
通過參照附圖詳細地描述示例實施例,特征對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言將變得明顯,在附圖中:
圖1示出了根據(jù)示例實施例的液體化學(xué)供應(yīng)系統(tǒng)的示意圖。
圖2示出了根據(jù)示例實施例的液位傳感器的示意圖。
圖3示出了根據(jù)示例實施例的在緩沖槽中析出的固體溶質(zhì)的示意圖。
圖4示出了根據(jù)示例實施例的緩沖槽的剖視圖。
圖5示出了根據(jù)示例實施例的會在真空槽中發(fā)生的固體溶質(zhì)的析出的剖視圖。
圖6示出了根據(jù)示例實施例的會在過濾器中發(fā)生的固體溶質(zhì)的析出的剖視圖。
圖7示出了根據(jù)示例實施例的液位傳感器的示意圖。
圖8A示出了根據(jù)示例實施例的液位傳感器的示意圖。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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