[發明專利]液體化學回收系統、供應系統和制造半導體裝置的方法在審
| 申請號: | 201811300516.2 | 申請日: | 2018-11-02 |
| 公開(公告)號: | CN110176408A | 公開(公告)日: | 2019-08-27 |
| 發明(設計)人: | 金伶厚;樸晟見;盧炫佑;車知勳;崔溶俊 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;B01D35/02;B01D35/16 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉燦強;董婷 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 液體化學品 緩沖槽 液體化學 回收系統 真空槽 半導體裝置 供應系統 真空泵 外部提供 物質積累 向下傾斜 回收槽 制造 回收 外部 | ||
1.一種液體化學回收系統,所述液體化學回收系統包括:
緩沖槽,從外部接收第一液體化學品;
真空槽,具有連接至真空槽的真空泵,并使用真空泵從緩沖槽接收第一液體化學品;以及
回收槽,從真空槽接收第一液體化學品,并向外部提供第二液體化學品,第二液體化學品是回收的第一液體化學品,
其中,
緩沖槽包括第一注入部分和第一供應部分,第一液體化學品被提供到第一注入部分,第一供應部分將第一液體化學品提供到真空槽,并且
緩沖槽的底部朝向第一供應部分向下傾斜,以防止包含在第一液體化學品中的物質積累在緩沖槽中。
2.根據權利要求1所述的液體化學回收系統,所述液體化學回收系統還包括保持或提高緩沖槽的溫度的加熱器。
3.根據權利要求1所述的液體化學回收系統,其中,由緩沖槽的側壁和緩沖槽的底部的與側壁相鄰的部分形成的角度比直角大。
4.根據權利要求3所述的液體化學回收系統,所述液體化學回收系統還包括保持或提高緩沖槽的溫度的加熱器。
5.根據權利要求1所述的液體化學回收系統,其中,第一注入部分的至少一部分插入緩沖槽中。
6.根據權利要求5所述的液體化學回收系統,其中,第一注入部分包括在第一方向上延伸的第一部分以及連接到第一部分并在與第一方向不同的第二方向上延伸的第二部分。
7.根據權利要求1所述的液體化學回收系統,其中,真空槽包括:第二注入部分,第一液體化學品被提供到第二注入部分;液位傳感器,測量提供到真空槽的第一液體化學品的液位;第二供應部分,將第一液體化學品提供到回收槽;第一氣體排放部分,連接到真空泵;以及第一閥,控制第二供應部分的打開或關閉。
8.根據權利要求7所述的液體化學回收系統,其中,液位傳感器附著到真空槽的外壁,并通過向真空槽的外壁施加電壓并測量真空槽的內壁與外壁之間的電勢差來測量提供到真空槽的第一液體化學品的液位。
9.根據權利要求7所述的液體化學回收系統,所述液體化學回收系統還包括:
計算裝置,連接到液位傳感器,以控制第一閥的打開或關閉,
其中,如果提供到真空槽的第一液體化學品的液位比預定的液位高,則計算裝置打開第一閥。
10.根據權利要求1所述的液體化學回收系統,所述液體化學回收系統還包括:
過濾器,設置在緩沖槽與真空槽之間,
其中,當第一液體化學品不運動時,使用去離子水沖洗過濾器。
11.根據權利要求7所述的液體化學回收系統,其中,真空槽的底部朝向第二供應部分向下傾斜。
12.一種液體化學供應系統,所述液體化學供應系統包括:
第一儲存槽,包括第一液位傳感器并儲存第一液體化學品;
第二儲存槽,包括第二液位傳感器并儲存第二液體化學品;
主槽,連接到第一儲存槽和第二儲存槽并接收第一液體化學品和第二液體化學品中的一個;
工藝腔室,從主槽接收第一液體化學品和第二液體化學品中的一個,并且在工藝腔室中執行濕法蝕刻工藝;
緩沖槽,從工藝腔室接收在濕法蝕刻工藝中使用的第三液體化學品;以及
真空槽,包括第三液位傳感器,并從緩沖槽接收第三液體化學品,
其中,第三液體化學品沿著緩沖槽的傾斜表面被提供到真空槽,以防止包含在第三液體化學品中的物質積累在緩沖槽中。
13.根據權利要求12所述的液體化學供應系統,所述液體化學供應系統還包括保持或提高緩沖槽的溫度的加熱器。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





