[發明專利]半導體存儲器件

有效

• 申請號: 201811300277.0
• 申請日: 2018-11-02
• 公開（公告）號: CN110010168B
• 公開（公告）日: 2023-03-14
• 發明（設計）人: 元炯植
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C7/06
• 分類號: G11C7/06;G11C7/08
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 許偉群;郭放

本發明提供一種半導體存儲器件，其包括感測放大器、電壓供應電路和電壓供應控制電路。感測放大器可以通過從第一至第三電壓供應線接收驅動電壓而被激活，以檢測和放大數據線和取反數據線的電壓電平。電壓供應電路可以響應于第一至第三電壓供應信號和偏置控制信號而將驅動電壓施加到第一至第三電壓供應線。電壓供應控制電路可以響應于激活信號來產生第一至第三電壓供應信號和偏置控制信號。

相關申請的交叉引用

本申請要求2017年11月23日提交的韓國專利申請第10-2017-0157112號的優先權，其公開內容通過引用整體合并于此。

技術領域

各種實施例總體而言可以涉及一種半導體集成電路，并且更具體地，涉及一種半導體存儲器件。

背景技術

通常，半導體存儲器件可以儲存和輸出數據。

對提供結合了低功耗和快速操作速度的可靠的半導體存儲器件的需求很高。這種半導體存儲器件可以能夠利用低功率以高速度來對所儲存的數據進行檢測和放大。

發明內容

本發明的示例實施例提供了一種半導體存儲器件，其能夠確保用于以快速的操作速度對數據進行檢測和放大的可靠性。

在本公開的示例實施例中，一種半導體存儲器件可以包括感測放大器、電壓供應電路和電壓供應控制電路。所述感測放大器可以通過從第一電壓供應線至第三電壓供應線接收驅動電壓而被激活，以檢測和放大數據線和取反數據線的電壓電平。所述電壓供應電路可以響應于第一電壓供應信號至第三電壓供應信號和偏置控制信號而將所述驅動電壓施加到所述第一電壓供應線至所述第三電壓供應線。所述電壓供應控制電路可以響應于激活信號來產生所述第一電壓供應信號至所述第三電壓供應信號和所述偏置控制信號。

在本公開的示例實施例中，一種半導體存儲器件可以包括感測放大器、電壓供應控制電路和電壓供應電路。所述感測放大器可以包括多個晶體管。所述電壓供應控制電路可以響應于激活信號來產生偏置控制信號。所述電壓供應電路可以響應于所述偏置控制信號而向所述晶體管中的任意一個提供第一負電壓和第二負電壓中的任意一個作為反向偏置電壓。

在本公開的示例實施例中，當數據線和取反數據線的電壓電平可改變時，半導體存儲器件可以改變感測放大器中的晶體管中的任意一個的反向偏置電壓。

根據示例實施例，所述半導體存儲器件可以具有數據可靠性和快速操作速度。

附圖說明

從以下結合附圖的詳細描述，將更清楚地理解本公開主題的上述和其他方面、特征和優點，其中：

圖1是示出根據示例實施例的半導體存儲器件的圖。

圖2是示出圖1所示的半導體存儲器件中采用的感測放大器的一個示例實施例的圖。

圖3是示出圖1所示的半導體存儲器件中采用的電壓供應電路的一個示例實施例的圖。

圖4是示出圖1所示的半導體存儲器件中采用的電壓供應控制電路的一個示例實施例的圖。

圖5是示出根據示例實施例的半導體存儲器件的操作的時序圖。

具體實施方式

將參考附圖更詳細地描述本發明的各種實施例。附圖是各種實施例(和中間結構)的示意圖。因此，可以預期由于例如制造技術和/或公差導致的圖示的配置和形狀的變化。因此，所描述的實施例不應被解釋為限于本文示出的特定配置和形狀，而是可以包括配置和形狀上的偏差，所述偏差不脫離如所附權利要求中限定的本發明的精神和范圍。

本文參考本發明的理想化實施例的橫截面和/或平面圖示來描述本發明。然而，本發明的實施例不應被解釋為限制本發明構思。盡管將示出和描述本發明的一些實施例，但是本領域普通技術人員將理解，在不脫離本發明的原理和精神的情況下，可以在這些實施例中做出改變。