[發明專利]半導體存儲器件

有效

• 申請號: 201811300277.0
• 申請日: 2018-11-02
• 公開（公告）號: CN110010168B
• 公開（公告）日: 2023-03-14
• 發明（設計）人: 元炯植
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C7/06
• 分類號: G11C7/06;G11C7/08
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 許偉群;郭放

1.一種半導體存儲器件，包括：

感測放大器，其適用于檢測和放大數據線與取反數據線之間的電壓電平差；

電壓供應電路，其適用于響應于第一電壓供應信號至第三電壓供應信號和偏置控制信號而經由第一電壓供應線至第三電壓供應線將驅動電壓施加到所述感測放大器；以及

電壓供應控制電路，其適用于響應于激活信號來產生所述第一電壓供應信號至所述第三電壓供應信號和所述偏置控制信號，

其中，所述感測放大器通過接收所述驅動電壓而被激活，

其中，所述電壓供應電路響應于所述偏置控制信號而將第一負電壓和第二負電壓中的任意一個施加到所述第三電壓供應線。

2.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述感測放大器包括多個晶體管，所述第一電壓供應線和所述第二電壓供應線連接到所述晶體管中的每一個的漏極或源極，并且所述第三電壓供應線連接到所述晶體管中的任意一個的反向偏置電壓端子。

3.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述電壓供應電路響應于所述第一電壓供應信號和所述第二電壓供應信號而將高電壓和外部電壓中的任意一個選擇性地施加到所述第一電壓供應線，以及，所述電壓供應電路響應于所述第三電壓供應信號而將接地電壓施加到所述第二電壓供應線。

4.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述第二負電壓具有高于所述第一負電壓的電平。

5.如權利要求4所述的半導體存儲器件，其中，當所述偏置控制信號被使能時，所述電壓供應電路將所述第二負電壓施加到所述第三電壓供應線，以及當所述偏置控制信號被禁止時，所述電壓供應電路將所述第一負電壓施加到所述第三電壓供應線。

6.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述電壓供應控制電路在所述激活信號被使能時將所述第三電壓供應信號使能，所述電壓供應控制電路將所述偏置控制信號和所述第一電壓供應信號使能設定的時間，并且所述電壓供應控制電路在所述第一電壓供應信號被禁止時將所述第二電壓供應信號使能。

7.如權利要求6所述的半導體存儲器件，其中，當所述激活信號被禁止時，所述電壓供應控制電路將所述偏置控制信號使能設定的時間，以及將所述第二電壓供應信號和所述第三電壓供應信號禁止。

8.如權利要求7所述的半導體存儲器件，其中，所述電壓供應控制電路包括：

第一脈沖發生電路，其用于在所述激活信號被使能時產生第一脈沖；以及

第二脈沖發生電路，其用于在所述激活信號被禁止時產生第二脈沖，

其中，所述第一脈沖和所述第二脈沖被輸出為所述偏置控制信號。

9.一種半導體存儲器件，包括：

感測放大器，其包括多個晶體管；

電壓供應控制電路，其用于響應于激活信號來產生偏置控制信號；以及

電壓供應電路，其用于響應于所述偏置控制信號而向所述晶體管中的任意一個提供第一負電壓和第二負電壓中的任意一個作為反向偏置電壓。

10.如權利要求9所述的半導體存儲器件，其中，所述第二負電壓具有高于所述第一負電壓的電平。

11.如權利要求10所述的半導體存儲器件，其中，所述電壓供應控制電路在所述激活信號被使能和被禁止時產生以設定的時間被使能的所述偏置控制信號。

12.如權利要求11所述的半導體存儲器件，其中，所述電壓供應控制電路包括：

第一脈沖發生電路，其用于在所述激活信號被使能時產生第一脈沖；以及

第二脈沖發生電路，其用于在所述激活信號被禁止時產生第二脈沖，

其中，所述第一脈沖和所述第二脈沖被輸出為所述偏置控制信號。