[發明專利]頂發光型量子點電致發光二極管及其制備方法

在審

• 申請號: 201811299830.3
• 申請日: 2018-11-02
• 公開（公告）號: CN111146346A
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發明（設計）人: 謝相偉
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 黃志云

本發明提供了一種頂發光型量子點電致發光二極管，包括相對設置的反射陽極和透明陰極，設置在所述反射陽極和所述透明陰極之間的量子點發光層，以及設置在所述量子點發光層和所述透明陰極之間的復合電子傳輸疊層；其中，復合電子傳輸疊層包括在所述量子點發光層和所述透明陰極之間設置的第一電子傳輸層，和在所述透明陰極和所述第一電子傳輸層之間設置的第二電子傳輸層，且所述第一電子傳輸層的材料中至少含有一種無機氧化物電子傳輸材料，所述第二電子傳輸層的材料中至少含有一種有機電子傳輸材料。

技術領域

本發明屬于顯示技術領域，尤其涉及一種頂發光型量子點電致發光器件及其制備方法。

背景技術

量子點(Quantum Dots，QDs)，又稱納米晶，是準零維的納米材料，由有限數目的原子組成，至少兩個維度尺寸均在納米數量級，外觀似一極小的點狀物或棒狀物/線狀物，其內部電子運動在二維空間都受到了限制，量子限域效應特別顯著。納米晶體半導體材料受到光或電的激發，會發出半峰寬很窄的光譜(通常半峰寬小于40nm)，發光顏色主要由粒子大小決定，發光具有光色純度高、發光量子效率高、性能穩定等特點。

利用量子點電致發光特性制作的量子點發光二極管(Quantum Dot LightEmitting Diode，QLED)器件作為一種新興的發光器件，近年來受到了廣泛的關注。與傳統的有機發光二極管(OLED)相比，QLED具有更加優異的色純度、亮度和可視角等特點。量子點可分散于溶劑中配制成量子點墨水等印刷材料，適用于溶液法制備，可采用打印、移印、旋涂、刮涂等方法制造量子點發光薄膜，實現大面積溶液加工。如采用與噴墨打印(InkjetPrinting)相類似的按需噴墨(Drop on Demand)工藝，可以精確地按所需量將量子點材料沉積在設定的位置，沉積形成精密像素薄膜結構，制造大尺寸彩色QLED顯示屏。這些特點使得以量子點材料作為發光層的量子點發光二極管在固態照明、平板顯示等領域具有廣泛的應用前景，受到了學術界以及產業界的廣泛關注。

通過對量子點材料的改進以及QLED器件結構的不斷優化，QLED器件性能得到了大幅度的提高，但是制作頂發光結構的QLED器件，如仍采用現有的器件結構，由于透明陰極與電子傳輸層能級的失配，導致電子注入困難，使器件性能降低。

發明內容

本發明的目的在于提供一種頂發光型量子點電致發光二極管及其制備方法，旨在解決現有頂發光型量子點電致發光二極管由于透明陰極與電子傳輸層能級的失配，導致電子注入困難，導致發光二極管器件性能降低的問題。

為實現上述發明目的，本發明采用的技術方案如下：

本發明一方面提供一種頂發光型量子點電致發光二極管，包括相對設置的反射陽極和透明陰極，設置在所述反射陽極和所述透明陰極之間的量子點發光層，以及設置在所述量子點發光層和所述透明陰極之間的復合電子傳輸疊層；其中，所述復合電子傳輸疊層包括在所述量子點發光層和所述透明陰極之間設置的第一電子傳輸層，和在所述透明陰極和所述第一電子傳輸層之間設置的第二電子傳輸層，且所述第一電子傳輸層的材料中至少含有一種無機氧化物電子傳輸材料，所述第二電子傳輸層的材料中至少含有一種有機電子傳輸材料。

本發明另一方面提供一種頂發光型量子點電致發光二極管的制備方法，包括以下步驟：

提供基板，在所述基板上制備反射陽極；

在所述反射陽極上制備量子點發光層；

在所述量子點發光層上制備第一電子傳輸層，在所述第一電子傳輸層上制備第二電子傳輸層；

在所述第二電子傳輸層上制備透明陰極。