[發明專利]頂發光型量子點電致發光二極管及其制備方法

在審

• 申請號: 201811299830.3
• 申請日: 2018-11-02
• 公開（公告）號: CN111146346A
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發明（設計）人: 謝相偉
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 黃志云

1.一種頂發光型量子點電致發光二極管，其特征在于，包括相對設置的反射陽極和透明陰極，設置在所述反射陽極和所述透明陰極之間的量子點發光層，以及設置在所述量子點發光層和所述透明陰極之間的復合電子傳輸疊層；其中，所述復合電子傳輸疊層包括在所述量子點發光層和所述透明陰極之間設置的第一電子傳輸層，和在所述透明陰極和所述第一電子傳輸層之間設置的第二電子傳輸層，且所述第一電子傳輸層的材料中至少含有一種無機氧化物電子傳輸材料，所述第二電子傳輸層的材料中至少含有一種有機電子傳輸材料。

2.如權利要求1所述的頂發光型量子點電致發光二極管，其特征在于，所述無機氧化物電子傳輸材料選自氧化鋅、氧化鎂、氧化錫、氧化鋅鎂、氧化鋅錫、氧化鋅鋁、氧化鋅鈣中的至少一種。

3.如權利要求2所述的頂發光型量子點電致發光二極管，其特征在于，所述有機電子傳輸材料選自8-羥基喹啉鋁、4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-聯苯基)-1,3,4-噁二唑、2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-菲羅啉、3-(聯苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑、4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-聯苯、2.5-雙(5-叔丁基-2-苯并惡唑)噻吩、8-羥基喹啉鋅、8-羥基喹啉鎵、雙(10-羥基苯并[h]喹啉)鈹、雙(2-甲基-8-羥基喹啉-N1,O8)-(1,1'-聯苯-4-羥基)鋁、ZnSPB、2-(4-聯苯基)-5-苯基惡二唑、7 2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑的至少一種。

4.如權利要求1-3任一項所述的頂發光型量子點電致發光二極管，其特征在于，所述第二電子傳輸層的材料中含有摻雜劑。

5.如權利要求4所述的頂發光型量子點電致發光二極管，其特征在于，所述摻雜劑選自金屬、金屬無機鹽、有機金屬配合物中的至少一種。

6.如權利要求5所述的頂發光型量子點電致發光二極管，其特征在于，所述摻雜劑選自Li、LiF、8-羥基喹啉鋰、NaF、Yb、Li₂CO₃、Rb₂CO₃、Cs₂CO₃中的至少一種。

7.如權利要求6所述的頂發光型量子點電致發光二極管，其特征在于，以所述第二傳輸層的材料的總質量為100％計，所述摻雜劑的重量百分含量為1％-80％。

8.如權利要求7所述的頂發光型量子點電致發光二極管，其特征在于，以所述第二傳輸層的材料的總質量為100％計，所述摻雜劑的重量百分含量為1％-50％。

9.如權利要求1-3任一項所述的頂發光型量子點電致發光二極管，其特征在于，所述透明陰極和所述第二電子傳輸層之間設置有陰極修飾層。

10.如權利要求9所述的頂發光型量子點電致發光二極管，其特征在于，所述陰極修飾層的材料選自金屬單質、金屬氟化物、金屬氧化物中的至少一種。

11.如權利要求10所述的頂發光型量子點電致發光二極管，其特征在于，所述陰極修飾層的材料選自Ba、Ca、BaO、BaF₂、CaO、CaF₂、LiF、NaF、KF、CsF中的至少一種。

12.如權利要求2所述的頂發光型量子點電致發光二極管，其特征在于，所述無機氧化物電子傳輸材料的直徑范圍為2-20nm。

13.如權利要求1-3任一項所述的頂發光型量子點電致發光二極管，其特征在于，所述第一電子傳輸層的厚度為10-200nm；和/或

所述第二電子傳輸層的厚度為10-200nm。

14.一種頂發光型量子點電致發光二極管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供基板，在所述基板上制備反射陽極；

在所述反射陽極上制備量子點發光層；

在所述量子點發光層上制備第一電子傳輸層，在所述第一電子傳輸層上制備第二電子傳輸層，其中，所述第一電子傳輸層的材料中至少含有一種無機氧化物電子傳輸材料，所述第二電子傳輸層的材料中至少含有一種有機電子傳輸材料；

在所述第二電子傳輸層上制備透明陰極。