[發明專利]一種新型防彈芯片在審
| 申請號： | 201811298885.2 | 申請日： | 2018-11-02 |
| 公開（公告）號： | CN109489486A | 公開（公告）日： | 2019-03-19 |
| 發明（設計）人： | 吳中偉;艾青松;方心靈;陳虹;劉元坤;許冬梅;虎龍;潘智勇 | 申請（專利權）人： | 北京航天雷特機電工程有限公司;北京航天試驗技術研究所 |
| 主分類號： | F41H5/04 | 分類號： | F41H5/04 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100074 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 防彈 芯片 芳綸 聚乙烯無緯布 安全裕度 防彈性能 個體防護 緩沖阻尼 芯片產品 防凹陷 作戰 制備 軍警 試驗 | ||
1.一種新型防彈芯片，所述防彈芯片其特征在于由以下結構組成；
a)由多層0°芳綸無緯布/90°高強度聚乙烯無緯布材料組成；
b)有多層芳綸無緯布防凹陷材料組成；
c)由1層緩沖阻尼材料組成。
2.按照權利要求1所述的防彈芯片，其特征在于：
所述的a)0°芳綸無緯布/90°高強度聚乙烯無緯布材料面密度為150～190g/m2多層芳綸無緯布層疊組成。
3.按照權利要求2所述的0°芳綸無緯布/90°高強度聚乙烯無緯布材料，其特征在于：
所述的無緯布采用水性聚異戊二烯膠粘劑通過添加聚氨酯膠粘劑及納米二氧化鈦，經織造形成0°芳綸無緯布/90°高強度聚乙烯無緯布材料。
4.按照權利要求3所述0°芳綸無緯布/90°高強度聚乙烯無緯布材料，其特征在于：
所述的水性聚異戊二烯膠粘劑、聚氨酯膠粘劑及納米二氧化鈦漿料的質量比為100∶20～40∶5～15。其中所述的納米二氧化鈦平均粒徑為30nm，納米二氧化鈦含量≥40％。
5.按照權利要求1所述的防彈芯片，其特征在于：
所述芳綸無緯布防凹陷材料為2層或3層芳綸單向無緯布組成，結構為0°/90°或0°/90°/0°。在140～160℃熱壓，壓力為5～10MPa下熱壓而成。
6.按照權利要求5所述芳綸無緯布防凹陷材料，其特征在于：
所述的芳綸無緯布防凹陷2層面密度為190～210g/m2，3層面密度為285～315g/m2。
7.按照權利要求1所述的防彈衣芯片結構，其特征在于：
所述c)緩沖阻尼材料為硅膠發泡板，厚度為3～6mm，邵氏硬度為50度。
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