[發明專利]一種正性光刻膠去膠清洗組合物及其應用有效
| 申請號: | 201811298251.7 | 申請日: | 2018-11-02 |
| 公開(公告)號: | CN109164686B | 公開(公告)日: | 2022-01-28 |
| 發明(設計)人: | 李森虎;承明忠;朱龍;邵勇;顧玲燕;陳林;殷福華;趙文虎;姚瑋 | 申請(專利權)人: | 江陰江化微電子材料股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/42 | 分類號: | G03F7/42 |
| 代理公司: | 無錫堅恒專利代理事務所(普通合伙) 32348 | 代理人: | 杜興 |
| 地址: | 214400 江蘇省無*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 光刻 膠去膠 清洗 組合 及其 應用 | ||
本發明公開了一種正性光刻膠去膠清洗組合物,主要組分包括季銨類氫氧化物、水溶性鏈烷醇胺、水溶性有機極性溶劑和具有環己基的酯類化合物。正性光刻膠去膠清洗組合物中含有具有環己基的酯類化合物,該酯類化合物在堿性有機相中性能穩定,季銨類氫氧化物在水洗液中電離生成氫氧根離子,水洗液呈堿性,具有環己基的酯類化合物堿性條件下水解生成酸和醇并保持反應平衡,酸能快速中和堿液中的氫氧根離子,改善水洗工序對于晶圓表面金屬層的腐蝕程度。本發明還公開了正性光刻膠去膠清洗組合物在基板光刻膠剝離工藝中的應用。
技術領域
本發明涉及光刻膠去膠清洗組合物組合物技術領域,具體涉及一種正性光刻膠去膠清洗組合物及其應用。
背景技術
TFT-LCD工藝中,通過Sputter或者CVD在陣列基板成膜,以光刻膠作為掩膜,通過濕法刻蝕或者干法刻蝕,在膜層上得到所需要的圖案。去除作為掩膜光刻膠的過程稱為剝離。光刻膠按照作用機理可分為正性光刻膠和負性光刻膠,正性光刻膠的曝光區域更加容易溶解于顯影液,正性光刻膠樹脂是線性酚醛樹脂。
關于半導體圓片級封測行業內8寸、12寸圓片上正性光刻膠(如AZ4620系列)的去除,現有技術中公開了以下非水系去膠清洗組合物:CN106773562A空開了一種去除AZ光刻膠的去膠液,其配方包括:10-50wt%酯類化合物,10-50wt%有機醇,補足余量的極性有機溶劑;其中酯類化合物為一元酸酯、二元酸酯或內酯中的一種,有機醇為C2~3醇類,極性有機溶劑為二甲亞砜、環丁砜、二甲基砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、碳酸丙二酯、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮中的一種。上述去膠清洗組合物處理后的基板表面無明顯腐蝕,但是剝離后的基板表面有光刻膠殘留。
CN102667628A公開了一種非水系光阻剝離劑組成物,其包括5-30重量%的堿性化合物、20-80重量%的酰胺化合物、10-70重量%的極性溶劑以及0.0-10重量%的烷醇胺鹽。上述去膠清洗組合物中含有堿性化合物,在剝離后續的水洗過程中,堿性化合物如由甲胺、乙胺、單異丙胺等有機堿和烷醇胺鹽的水解均能生成氫氧根,致使水洗液呈堿性,此時水洗液中緩蝕劑含量少,氫氧根容易對基板表面的鋁和銅發生侵蝕,特別是鋁層,最終在基板表面形成零星的侵蝕點。
發明內容
本發明的目的之一在于克服現有技術中存在的缺陷,提供一種正性光刻膠去膠清洗組合物,通過引入具有環己基的酯類化合物,利用堿性條件下酯水解產生有機酸中和氫氧根,有助于改善水洗液對于金屬層特別是鋁層的腐蝕。
為實現上述目的,本發明的技術方案為:一種正性光刻膠去膠清洗組合物,其特征在于,主要組分包括季銨類氫氧化物、水溶性鏈烷醇胺、水溶性有機極性溶劑和具有環己基的酯類化合物。
具有環己基的脂類化合物水解生成小分子的有機酸或者具有環己基的有機酸,上述有機酸均能中和氫氧根,而且酯水解平衡使得水洗液趨于中性,改善水洗液對于金屬層特別是鋁層的腐蝕。
優選的技術方案為,按重量百分比計,其組成包括季銨類氫氧化物1~10%、水溶性鏈烷醇胺10~30%、水溶性有機極性溶劑40~80%和具有環己基的酯類化合物3~25%。進一步優選的,其組成包括季銨類氫氧化物2~7%、水溶性鏈烷醇胺14~27%、水溶性有機極性溶劑45~70%和具有環己基的酯類化合物5~18%。
優選的技術方案為,具有環己基的酯類化合物為選自甲酸環己酯、乙酸環己酯、丙酸環己酯、2-甲基丙酸環己酯、巰基丙酸環己酯、環己甲酸甲酯、環己甲酸乙酯中的一種或兩種以上的組合。甲酸環己酯、乙酸環己酯、丙酸環己酯、2-甲基丙酸環己酯、巰基丙酸環己酯水解生成環乙醇和小分子的甲酸、乙酸、丙酸、2-甲基丙酸和巰基丙酸;環己甲酸甲酯、環己甲酸乙酯水解生成環己甲酸和相應的甲醇、乙醇。上述的環己醇和環己甲烷均具有良好的水溶性,水洗后的基板表面潔凈度良好。
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