[發明專利]一種配向膜脫膜劑組合物及脫膜工藝

有效

• 申請號: 201811298244.7
• 申請日: 2018-11-02
• 公開（公告）號: CN109439468B
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: 徐楊;邵勇;朱龍;陳林;承明忠;周勰;殷福華;趙文虎
• 申請（專利權）人: 江陰江化微電子材料股份有限公司
• 主分類號: C11D7/04
• 分類號: C11D7/04;C11D7/06;C11D7/16;C11D7/26;C11D7/32;C11D7/34;C11D7/50;C11D7/60;G02F1/1337
• 代理公司: 無錫堅恒專利代理事務所(普通合伙) 32348
• 代理人: 杜興

本發明公開了一種配向膜脫膜劑組合物，主要組成為堿性組分、非質子極性溶劑、有機醇溶劑和水，堿性組分中包含嗎啉和/或具有嗎啉環仲胺基團的嗎啉衍生物。本發明配向膜脫膜劑組合物中引入了具有仲胺基團的嗎啉和/或嗎啉衍生物，嗎啉分子結構中具有仲胺基團，因此其水溶液具有強堿性，可部分替代或者全部替代堿金屬氫氧化物，降低脫膜劑組合物中的堿金屬氫氧化物含量，不傷底層ITO及金屬層；配向膜脫膜劑組合物中的水含量高，有助于提高配向膜脫膜過程中的的安全系數。本發明還公開了一種配向膜脫膜劑組合物的脫膜工藝。

技術領域

本發明涉及電子聚合物脫膜化學品技術領域，具體涉及一種配向膜脫膜劑組合物及脫膜工藝。

背景技術

配向膜又稱液晶取向膜層，其材質為絕緣材料聚酰亞胺，起作用是為液晶分子提供一個有序排列的承載平臺。PI膜是在CF或TFT基板上均勻的形成一層特定圖案的膜層，經過摩擦的作用，使得這一層PI膜具有統一的取向和預傾角。CF或TFT基板生產過程中經常出現異常，通常需要將PI膜去除并重新鍍膜的制程工藝，即PI-rework工藝。傳統的PI-rework工藝使用干刻，利用He等離子體與O2等離子體轟擊刻蝕PI膜，不僅成本昂貴，作業風險大，而且對設備要求也高。

改進的技術方案采用濕法脫膜，濕法脫膜的要求是去除基板表面的PI膜層，且不傷底層ITO層。如CN1693439A中所述的，采用含有機堿性化合物、一級醇類有機溶劑和具有醚基的二級和/或三級醇類的有機溶劑。上述有機溶劑具有較佳的鋁耐腐蝕性，對于油分、指紋、樹脂和微粒具有良好的去除能力。實施例中CN1693439A中堿的可選范圍包括氫氧化鈉、四丁基銨氫氧化物和四乙基銨氫氧化物，季銨鹽作為脫膜劑組合物堿性組分的缺陷在于堿性雖強，但是N+結構四周為被-CH3包圍，其空間位阻效應較大，而聚酰亞胺的結構自身空間位阻大，季銨鹽堿性官能團攻擊酰胺鍵的幾率大大降低，影響分子反應活性，對于加熱處理后的PI膜剝離效果較差。

因此，有必要對現有技術中的配向膜脫膜劑的組成進行改進。

發明內容

本發明的目的之一在于克服現有技術中存在的缺陷，提供一種配向膜脫膜劑組合物，將嗎啉和/或具有仲胺的嗎啉衍生物加入到組合物中作為堿性組分，利用嗎啉水溶液的堿性、對含芳烴水解鏈段的溶解能力，使脫膜劑組合物對于配向膜具有良好的剝離性。

為實現上述目的，本發明的技術方案為：一種配向膜脫膜劑組合物，其特征在于，主要組成為堿性組分、非質子極性溶劑、有機醇溶劑和水，堿性組分中包含嗎啉和/或具有嗎啉環仲胺基團的嗎啉衍生物。

優選的技術方案為，按重量百分比計，配向膜脫膜劑組合物中主要組成包括2～20％的堿性組分、10～40％的非質子極性溶劑、5～30％的有機醇溶劑、30～45％的水，配向膜脫膜劑組合物中添加劑的重量百分比為0.5～20％。組合物中水含量較大，配向膜脫膜劑組合物的儲藏和運輸過程中安全隱患少。

優選的技術方案為，嗎啉衍生物為選自2-甲基嗎啉、3-甲基嗎啉、2，5-二甲基嗎啉、2，6-二甲基嗎啉和2，5，5-三甲基嗎啉和中的一種或兩種以上的組合。

優選的技術方案為，堿性組分中還包括堿金屬氫氧化物、強堿弱酸鹽、氨水、水合肼和季銨堿中的一種或兩種以上的組合。

優選的技術方案為，非質子極性溶劑為選自N-甲基吡咯烷酮、二甲基亞砜、二甲基甲酰胺和二甲基乙酰胺中的一種或兩種以上的組合。

優選的技術方案為，堿性組分由堿金屬氫氧化物與嗎啉和/或嗎啉衍生物組合而成，或者堿性組分由堿金屬氫氧化物與嗎啉和/或嗎啉衍生物組合而成。

優選的技術方案為，有機醇溶劑為選自C2～C4且具有兩個以上羥基的有機醇溶劑。

優選的技術方案為，堿性組分由堿金屬氫氧化物、季銨堿與嗎啉組合而成，堿性組分中堿金屬氫氧化物、季銨堿與嗎啉的重量之比為(2～3)：(2～3)：1。