[發明專利]一種C3N4薄膜的制備方法在審
| 申請號: | 201811297420.5 | 申請日: | 2018-11-01 |
| 公開(公告)號: | CN109371446A | 公開(公告)日: | 2019-02-22 |
| 發明(設計)人: | 楊波;張軒豪;劉偉;白敏菂;高宏;何葉 | 申請(專利權)人: | 大連海事大學 |
| 主分類號: | C25D13/02 | 分類號: | C25D13/02;C25D13/22;C25B1/04;C25B11/06 |
| 代理公司: | 大連東方專利代理有限責任公司 21212 | 代理人: | 毛薇;李馨 |
| 地址: | 116026 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜 制備 致密 光電化學分解 光催化降解 前驅 導電材料 高度分散 厚度均勻 基底接觸 膠體顆粒 退火處理 有機溶劑 制備過程 氫氣 有機物 導電基 電泳法 光電極 基底 可控 可用 水制 沉積 修飾 平整 生產 | ||
本發明涉及以高度分散于有機溶劑的C3N4膠體為前驅、導電材料為基底,采用電泳法將C3N4膠體顆粒沉積到導電基底及利用后續退火處理制備C3N4薄膜的方法。不同于已公開報道制備C3N4薄膜的方法,該方法原料廉價易得,薄膜平整、致密、厚度均勻可控,與基底接觸良好,且制備過程快捷,易于大批量生產。該制備方法獲得的C3N4薄膜,一方面可作為C3N4光電極用于光電化學分解水制氫氣及光催化降解有機物等反應,另一方面可用于材料表面保護及修飾等用途。
技術領域
本發明涉及太陽能光電化學轉化過程中C3N4薄膜的制備方法,屬于催化材料制備技術領域。
背景技術
能源和環境問題在當今世界日益突出,為此世界各國積極進行清潔、可持續能源技術的開發和利用。光電化學催化分解水制氫技術可以直接將光能轉化為氫能,是一種重要的太陽能轉化方式。Fujishima和Honda于1972年首次發現該現象(Nature 1972,238,37.),引起了廣泛的研究熱潮。圍繞該技術,人們開發了各種用于光催化及電催化分解水的半導體材料,如TiO2(J.Am.Chem.Soc.,1983,105,27-31.),WO3(Chem.Comm.2012,48,729-731.),Fe2O3(J.Electrochem.Soc.1979),Ta3N5(Nano.Lett.2010,10,948-952),Cu2O(Nat.Mater.,2011,6,456-461.),C3N4(Nat.Mater.2009,8,76–80)等。其中C3N4材料因為其是一種廉價、環境友好的非金屬催化劑材料,其在光催化、光電催化及異相催化中的高活性而使人們對其有極大研究興趣。但是目前C3N4的可控制備平整的薄膜是目前面臨的問題,目前已報道的C3N4薄膜和電極的方法有刮涂法(Angew.Chem.Int.Ed.2015,54(21):6297-6301)、原位燒結法(J.Am.Chem.Soc.,2014,136(39):13486-13489.)、模板法(Angew.Chem.Int.Ed.2014,53(14):3654-3658)等。但這些方法制備的C3N4薄膜有不同缺點,如C3N4薄膜與導電基底接觸較差、薄膜制備過程復雜、薄膜厚度難以有效調控等。
發明內容
本發明的目的是提供一種快速、高效制備表面均一、厚度可控的C3N4薄膜的電泳沉積方法。因此,本發明發展一種新的策略用于制備C3N4薄膜,即將C3N4顆粒高度、均勻分散于有機溶液中形成穩定的C3N4膠體溶液,再加入含有導電離子的物質到溶液中調變C3N4顆粒表面特性,在導電襯底上通過電泳沉積C3N4膠體顆粒得到C3N4薄膜電極,同時在電泳沉積過程中采用不同的電壓及時間,有效解決了薄膜厚度不可控問題。然后通過后續熱處理(即退火處理)獲得了電極與導電基底接觸優良、致密、平整、厚度可控的C3N4薄膜。
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