[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811295411.2
• 申請日: 2018-11-01
• 公開（公告）號: CN110164866B
• 公開（公告）日: 2023-05-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李起洪;柳丞昱
• 申請（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H10B41/20
• 分類號: H10B41/20;H10B41/30;H10B43/20;H10B43/30
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括以下步驟：

形成層疊結(jié)構(gòu)；

形成穿透所述層疊結(jié)構(gòu)的溝道層；

在所述溝道層上形成第一介電層；

在所述第一介電層上形成第二介電層；

通過選擇性蝕刻所述第一介電層形成開口，其中，所述第二介電層保留以包括設(shè)置在比所述層疊結(jié)構(gòu)的最上表面和所述第一介電層的最上表面更高的高度處的突出部；

選擇性蝕刻通過所述開口暴露的所述第二介電層；以及

在所述開口中形成焊盤，

其中，所述方法還包括以下步驟：在形成所述第一介電層之前，在所述溝道層上形成第三介電層，

其中，所述第一介電層的蝕刻選擇性高于所述第二介電層和所述第三介電層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二介電層包括穿透所述層疊結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域和形成在所述層疊結(jié)構(gòu)的頂部上的第二區(qū)域，并且在所述第一區(qū)域中形成空隙。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，該方法還包括以下步驟：在形成所述第二介電層之后，蝕刻所述第二介電層的所述第二區(qū)域，使得所述第一介電層被暴露。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，使用濕蝕刻工藝對所述第二介電層執(zhí)行選擇性蝕刻。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，使用干蝕刻工藝對所述第二介電層執(zhí)行選擇性蝕刻。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，使用濕蝕刻工藝對所述第二介電層執(zhí)行選擇性蝕刻，并且蝕刻通過所述開口暴露的所述第二介電層和所述第三介電層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，該方法還包括以下步驟：在形成所述焊盤之前，在所述第一介電層上形成第四介電層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一介電層包括氮化物層，并且所述第二介電層和所述第三介電層包括氧化物層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一介電層包括氮化物層，并且所述第二介電層包括氧化物層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一介電層包括氧化物層，并且所述第二介電層包括氮化物層。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一介電層包括氧化物層，并且所述第二介電層包括金屬。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二介電層是犧牲層，并且

其中，在選擇性蝕刻所述第二介電層時，使用濕蝕刻工藝去除所述第二介電層。

13.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括以下步驟：

形成層疊結(jié)構(gòu)；

形成穿透所述層疊結(jié)構(gòu)的第一開口；

在所述第一開口中形成溝道層；

在所述溝道層上形成間隙填充層，其中，所述間隙填充層包括蝕刻速率不同的第一介電層和第二介電層；

通過選擇性蝕刻所述第一介電層形成第二開口；

選擇性蝕刻通過所述第一開口暴露的所述第二介電層以使所述第一開口的中央部分敞開；以及

在所述第二開口和所述第一開口的上部中形成焊盤。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，使用濕蝕刻工藝對所述第二介電層執(zhí)行選擇性蝕刻。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，該方法還包括以下步驟：在形成所述焊盤之前，在所述第一介電層上形成第三介電層。

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，使用干蝕刻工藝對所述第二介電層執(zhí)行選擇性蝕刻。