[發(fā)明專利]顯示設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811292551.4 | 申請日: | 2018-11-01 |
| 公開(公告)號: | CN109755276A | 公開(公告)日: | 2019-05-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李定勳;李承珪;郭源奎;李元世 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/3233 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;韓芳 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 像素區(qū)域 半導(dǎo)體層 顯示設(shè)備 第一區(qū)域 像素電極 發(fā)光層 柵電極 漏區(qū) 通孔 源區(qū) 薄膜晶體管 第二區(qū)域 區(qū)域延伸 延伸 | ||
1.一種顯示設(shè)備,所述顯示設(shè)備包括:
第一薄膜晶體管,設(shè)置在基底上的第一像素區(qū)域中,并且包括第一半導(dǎo)體層和第一柵電極,其中,所述第一半導(dǎo)體層包括第一源區(qū)和第一漏區(qū);
第二薄膜晶體管,設(shè)置在所述基底上的與所述第一像素區(qū)域相鄰的第二像素區(qū)域中,并且包括第二半導(dǎo)體層和第二柵電極,其中,所述第二半導(dǎo)體層包括第二源區(qū)和第二漏區(qū);
第一像素電極,設(shè)置在所述第一像素區(qū)域中,并且包括設(shè)置有第一發(fā)光層的第一區(qū)域和從所述第一區(qū)域延伸并設(shè)置在第一通孔上的第二區(qū)域;以及
第二像素電極,設(shè)置在所述第二像素區(qū)域中,并且包括設(shè)置有第二發(fā)光層的第三區(qū)域和從所述第三區(qū)域延伸并設(shè)置在第二通孔上的第四區(qū)域,
其中,所述第一像素電極的所述第一區(qū)域與所述第一薄膜晶體管的所述第一源區(qū)和所述第一漏區(qū)中的至少一個疊置,并且
其中,所述第二像素電極的所述第四區(qū)域與所述第二薄膜晶體管的所述第二源區(qū)和所述第二漏區(qū)中的至少一個疊置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備,其中,所述第二像素電極的所述第四區(qū)域的大小大于所述第一像素電極的所述第二區(qū)域的大小。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備,其中,所述第二像素電極的所述第三區(qū)域和所述第一像素電極的所述第一區(qū)域彼此對角地分隔開。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備,所述顯示設(shè)備還包括覆蓋所述第一像素電極的所述第二區(qū)域和所述第二像素電極的所述第四區(qū)域的絕緣層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示設(shè)備,其中,所述絕緣層覆蓋所述第一像素電極的所述第一區(qū)域的邊緣和所述第二像素電極的所述第三區(qū)域的邊緣。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備,所述顯示設(shè)備還包括:
第一驅(qū)動薄膜晶體管和第一電容器,設(shè)置在所述第一像素區(qū)域中并且連接到所述第一薄膜晶體管;以及
第二驅(qū)動薄膜晶體管和第二電容器,設(shè)置在所述第二像素區(qū)域中并且連接到所述第二薄膜晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示設(shè)備,其中,所述第一像素電極的所述第一區(qū)域與所述第一驅(qū)動薄膜晶體管和所述第一電容器至少部分地疊置,并且
所述第二像素電極的所述第四區(qū)域與所述第二驅(qū)動薄膜晶體管和所述第二電容器至少部分地疊置。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示設(shè)備,其中,所述第一電容器與所述第一驅(qū)動薄膜晶體管疊置,并且
所述第二電容器與所述第二驅(qū)動薄膜晶體管疊置。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示設(shè)備,其中,所述第一電容器包括第一底部電極和第一頂部電極,并且
所述第二電容器包括第二底部電極和第二頂部電極,
其中,所述第一底部電極是所述第一驅(qū)動薄膜晶體管的柵電極的至少一部分,并且
所述第二底部電極是所述第二驅(qū)動薄膜晶體管的柵電極的至少一部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示設(shè)備,所述顯示設(shè)備還包括:
第一數(shù)據(jù)線,設(shè)置在所述第一像素區(qū)域中;
第一開關(guān)薄膜晶體管,連接到所述第一數(shù)據(jù)線和所述第一驅(qū)動薄膜晶體管;以及
屏蔽構(gòu)件,與所述第一開關(guān)薄膜晶體管的源區(qū)和漏區(qū)中的至少一個疊置。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示設(shè)備,其中,所述屏蔽構(gòu)件設(shè)置在與所述第一頂部電極相同的水平處。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示設(shè)備,其中,所述屏蔽構(gòu)件連接到與所述第一頂部電極電連接的第一電力線。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





