[發明專利]顯示設備在審
| 申請號: | 201811292551.4 | 申請日: | 2018-11-01 |
| 公開(公告)號: | CN109755276A | 公開(公告)日: | 2019-05-14 |
| 發明(設計)人: | 李定勳;李承珪;郭源奎;李元世 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/3233 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;韓芳 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素區域 半導體層 顯示設備 第一區域 像素電極 發光層 柵電極 漏區 通孔 源區 薄膜晶體管 第二區域 區域延伸 延伸 | ||
本發明提供了一種顯示設備,該顯示設備包括:第一薄膜晶體管(TFT),設置在第一像素區域中,并且包括第一半導體層和第一柵電極,其中,第一半導體層包括第一源區和第一漏區;第二TFT,設置在與第一像素區域相鄰的第二像素區域中,并且包括第二半導體層和第二柵電極,其中,第二半導體層包括第二源區和第二漏區;第一像素電極,設置在第一像素區域中,并且包括設置有第一發光層的第一區域和從第一區域延伸并設置在第一通孔上的第二區域;以及第二像素電極,設置在第二像素區域中并且包括設置有第二發光層的第三區域和從第三區域延伸并設置在第二通孔上的第四區域。
本申請要求于2017年11月2日在韓國知識產權局提交的第10-2017-0145375號韓國專利申請的優先權的權益,該韓國專利申請的公開內容通過引用全部包含于此。
技術領域
本公開涉及顯示設備。
背景技術
顯示設備包括顯示裝置和用于控制施加到顯示裝置的電信號的電子裝置。該電子裝置包括薄膜晶體管、電容器和多條布線。
為了精確地控制顯示裝置的光發射及其光發射程度,存在電連接到顯示裝置的大量的薄膜晶體管以及通過其將電信號傳輸到薄膜晶體管的大量的布線。然而,薄膜晶體管和布線的數量會使顯示裝置的顯示質量和分辨率降低。
發明內容
發明構思的至少一個實施例包括一種具有改善的顯示質量和分辨率的顯示設備。
根據發明構思的示例性實施例,顯示設備包括:第一薄膜晶體管,設置在基底上的第一像素區域中,并且包括第一半導體層和第一柵電極,其中,第一半導體層包括第一源區和第一漏區;第二薄膜晶體管,設置在基底上的與第一像素區域相鄰的第二像素區域中,并且包括第二半導體層和第二柵電極,其中,第二半導體層包括第二源區和第二漏區;第一像素電極,設置在第一像素區域中,并且包括設置有第一發光層的第一區域和從第一區域延伸并設置在第一通孔上的第二區域;以及第二像素電極,設置在第二像素區域中,并且包括設置有第二發光層的第三區域和從第三區域延伸并設置在第二通孔上的第四區域。
第一像素電極的第一區域可以與第一薄膜晶體管的第一源區和第一漏區中的至少一個疊置,第二像素電極的第四區域可以與第二薄膜晶體管的第二源區和第二漏區中的至少一個疊置。
第二像素電極的第四區域的大小可以大于第一像素電極的第二區域的大小。
第二像素電極的第三區域和第一像素電極的第一區域可以彼此對角地分隔開。
顯示設備還可以包括覆蓋第一像素電極的第二區域和第二像素電極的第四區域的絕緣層。
絕緣層可以覆蓋第一像素電極的第一區域的邊緣和第二像素電極的第三區域的邊緣。
顯示設備還可以包括:第一驅動薄膜晶體管和第一電容器,設置在第一像素區域中并且連接到第一薄膜晶體管;以及第二驅動薄膜晶體管和第二電容器,設置在第二像素區域中并且連接到第二薄膜晶體管。
第一像素電極的第一區域可以與第一驅動薄膜晶體管和第一電容器至少部分地疊置,第二像素電極的第四區域可以與第二驅動薄膜晶體管和第二電容器至少部分地疊置。
第一電容器可以與第一驅動薄膜晶體管疊置,第二電容器可以與第二驅動薄膜晶體管疊置。
第一電容器可以包括第一底部電極和第一頂部電極,第二電容器可以包括第二底部電極和第二頂部電極,其中,第一底部電極可以是第一驅動薄膜晶體管的柵電極的至少一部分,并且第二底部電極可以是第二驅動薄膜晶體管的柵電極的至少一部分。
顯示設備還可以包括:第一數據線,設置在第一像素區域中;第一開關薄膜晶體管,連接到第一數據線和第一驅動薄膜晶體管;以及屏蔽構件,與第一開關薄膜晶體管的源區和漏區中的至少一個疊置。
屏蔽構件可以設置在與第一頂部電極相同的水平處。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





