[發明專利]晶舟在審
| 申請號: | 201811291681.6 | 申請日: | 2018-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN111128814A | 公開(公告)日: | 2020-05-08 |
| 發明(設計)人: | 李俋賢 | 申請(專利權)人: | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁禮君;闞梓瑄 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶舟 | ||
1.一種晶舟,包括第一預設數量個支撐柱,每個所述支撐柱上固定有第二預設數量個支撐件,其特征在于,所述支撐件包括:
第一支撐部,具有第一長度;
第三預設數量個第二支撐部,上表面為僅具有一個頂點的曲面,下表面與所述第一支撐部連接,所述下表面具有第二長度,所述第二長度小于所述第一長度。
2.如權利要求1所述的晶舟,其特征在于,所述第二支撐部是球形的一部分或橢球形的一部分。
3.如權利要求1所述的晶舟,其特征在于,所述第一支撐部的外邊沿設置有遮擋沿,所述遮擋沿的高度不大于所述第二支撐部的高度。
4.如權利要求1所述的晶舟,其特征在于,所述第一支撐部遠離所述支撐柱的一側設置有遮擋沿。
5.如權利要求1~4任一項所述的晶舟,其特征在于,所述第三預設數量等于1。
6.如權利要求5所述的晶舟,其特征在于,還包括:
連接梁,與所述第一支撐部、所述第二支撐部、所述支撐柱連接,厚度不大于所述第二支撐部的高度。
7.如權利要求6所述的晶舟,其特征在于,所述連接梁的厚度與所述第一支撐部的厚度之和不小于2mm。
8.如權利要求5所述的晶舟,其特征在于,所述第一支撐部的下表面向上傾斜,上表面呈水平方向。
9.如權利要求5所述的晶舟,其特征在于,所述第一支撐部的上表面向上傾斜,所述第二支撐部為一個設置在所述第一支撐部遠離所述支撐柱一側的半球。
10.如權利要求1~4任一項所述的晶舟,其特征在于,所述第三預設數量大于1。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





