[發(fā)明專利]一種基于圓柱型TSV的矩形波導(dǎo)濾波器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811290519.2 | 申請日: | 2018-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN109494435A | 公開(公告)日: | 2019-03-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王鳳娟;劉景亭;余寧梅 | 申請(專利權(quán))人: | 西安理工大學(xué) |
| 主分類號: | H01P1/208 | 分類號: | H01P1/208 |
| 代理公司: | 西安弘理專利事務(wù)所 61214 | 代理人: | 常娥 |
| 地址: | 710048*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 金屬 側(cè)壁金屬 底面 頂面 矩形波導(dǎo)濾波器 技術(shù)制作 重布線層 圓柱型 襯底 模片 微型化 高電阻率 金屬填充 內(nèi)部器件 有效解決 縱向安裝 集成化 交界處 氧化硅 級聯(lián) 刻蝕 膜片 深孔 填充 半導(dǎo)體 應(yīng)用 鑲嵌 制作 | ||
本發(fā)明公開了一種基于圓柱型TSV的矩形波導(dǎo)濾波器,包括采用重布線層RDL技術(shù)制作的頂面金屬和底面金屬,頂面金屬和底面金屬之間通過側(cè)壁金屬連接,側(cè)壁金屬內(nèi)部縱向安裝有模片,側(cè)壁金屬和膜片整體鑲嵌在高電阻率的半導(dǎo)體襯底中,頂面金屬、底面金屬與襯底的交界處均設(shè)置有氧化硅填充塊。本發(fā)明的矩形波導(dǎo)濾波器應(yīng)用TSV技術(shù)進(jìn)行深孔刻蝕和金屬填充,制作側(cè)壁金屬和模片,應(yīng)用重布線層RDL技術(shù)制作頂面金屬和底面金屬,使其與內(nèi)部器件進(jìn)行級聯(lián),有效解決了THz波器件的集成化微型化問題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于電子器件技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種基于圓柱型TSV的矩形波導(dǎo)濾波器。
背景技術(shù)
現(xiàn)代通信技術(shù)的不斷發(fā)展,使得濾波器成為整個通信系統(tǒng)中的一個重要部件,濾波器的主要作用是篩選有用信號最大程度無衰減的通過濾波器,使無用信號得到最大程度衰減,波導(dǎo)濾波器是比較常見的濾波器之一。
現(xiàn)代通信技術(shù)不斷追求數(shù)據(jù)的高速傳輸,伴隨著5G網(wǎng)絡(luò)信號的快速發(fā)展,人們開始對亞毫米波和頻率為300GHz-3000GHz波的研究。亞毫米波的頻率已經(jīng)達(dá)到太赫茲(THz)級別,THz波是介于微波和紅外之間的電磁波,波長在0.03-3mm之間,頻率為0.1-10THz,THz波擁有和光波相同的直進(jìn)性,同時具有與電波相類似的穿透性和吸收性,在通信、醫(yī)學(xué)、生物甚至包含反恐行動等領(lǐng)域展示出了強(qiáng)大的應(yīng)用優(yōu)勢,具有廣闊的發(fā)展前景。
進(jìn)行THz波的研究,濾波器是至關(guān)重要的部件,而且對濾波器有很大的設(shè)計要求。傳統(tǒng)濾波器的結(jié)構(gòu)繼承了金屬波導(dǎo)的原有結(jié)構(gòu),不能與主流集成電路的平面工藝兼容,不利于濾波器的系統(tǒng)集成。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種基于圓柱型TSV的矩形波導(dǎo)濾波器,解決現(xiàn)有濾波器不能與主流集成電路的平面工藝兼容的問題。
本發(fā)明采用的技術(shù)方案是,一種基于圓柱型TSV的矩形波導(dǎo)濾波器,包括頂面金屬和底面金屬,頂面金屬和底面金屬之間通過側(cè)壁金屬連接,側(cè)壁金屬內(nèi)部縱向安裝有模片。
本發(fā)明的技術(shù)特征還在于,
所述側(cè)壁金屬包括相互平行設(shè)置的兩排硅通孔。
所述模片可分成六組,每組包括相對應(yīng)的兩塊膜片。
所述中間兩組膜片中的每塊膜片均由三個圓柱形硅通孔組成,其余膜片由兩個圓柱形硅通孔組成。
所述每個側(cè)壁金屬包括三十七個圓柱形硅通孔。
所述組成側(cè)壁金屬與膜片的圓柱形硅通孔高度均為100μm,直徑均為10μm。
所述膜片中每個相鄰圓柱形硅通孔的間距大于等于10μm。
所述側(cè)壁金屬和膜片整體鑲嵌在高電阻率的半導(dǎo)體襯底中。
所述頂面金屬、底面金屬與襯底的交界處均設(shè)置有氧化硅填充塊。
所述頂面金屬和底面金屬均采用重布線層RDL工藝制作。
本發(fā)明的有益效果是:
(1)本發(fā)明應(yīng)用TSV技術(shù)進(jìn)行深孔刻蝕和金屬填充,制作側(cè)壁金屬和模片,應(yīng)用重布線層(RDL)技術(shù)制作頂面金屬和底面金屬,使其與內(nèi)部器件進(jìn)行級聯(lián),有效解決了THz波器件的集成化微型化問題。
(2)本發(fā)明通過設(shè)置六組膜片構(gòu)成了內(nèi)部的五組諧振器,可以使得電磁波在傳輸?shù)倪^程中增加不斷反射的頻率和次數(shù),從而得到更大的截至頻率;極大的減少了傳輸?shù)母哳l電磁波的損耗,使低頻電磁波更快的衰減,從而起到高效的高頻濾波效果。
附圖說明
圖1是本發(fā)明的矩形波導(dǎo)濾波器的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本發(fā)明的矩形波導(dǎo)濾波器中側(cè)壁金屬和膜片相應(yīng)位置關(guān)系示意圖。
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