[發明專利]一種基于圓柱型TSV的矩形波導濾波器在審
| 申請號： | 201811290519.2 | 申請日： | 2018-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN109494435A | 公開（公告）日： | 2019-03-19 |
| 發明（設計）人： | 王鳳娟;劉景亭;余寧梅 | 申請（專利權）人： | 西安理工大學 |
| 主分類號： | H01P1/208 | 分類號： | H01P1/208 |
| 代理公司： | 西安弘理專利事務所 61214 | 代理人： | 常娥 |
| 地址： | 710048*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 側壁金屬 底面 頂面 矩形波導濾波器 技術制作 重布線層 圓柱型 襯底 模片 微型化 高電阻率 金屬填充 內部器件 有效解決 縱向安裝 集成化 交界處 氧化硅 級聯 刻蝕 膜片 深孔 填充 半導體 應用 鑲嵌 制作 | ||
1.一種基于圓柱型TSV的矩形波導濾波器，其特征在于，包括頂面金屬(2)和底面金屬(3)，頂面金屬(2)和底面金屬(3)之間通過側壁金屬(4)連接，側壁金屬(4)內部縱向安裝有模片(6)。
2.根據權利要求1所述的一種基于圓柱型TSV的矩形波導濾波器，其特征在于，所述側壁金屬(4)包括相互平行設置的兩排硅通孔。
3.根據權利要求2所述的一種基于圓柱型TSV的矩形波導濾波器，其特征在于，所述模片(6)可分成六組，每組包括相對應的兩塊膜片(6)。
4.根據權利要求3所述的一種基于圓柱型TSV的矩形波導濾波器，其特征在于，所述中間兩組膜片(6)中的每塊膜片均由三個圓柱形硅通孔組成，其余膜片(6)由兩個圓柱形硅通孔組成。
5.根據權利要求4所述的一種基于圓柱型TSV的矩形波導濾波器，其特征在于，所述每個側壁金屬(4)包括三十七個圓柱形硅通孔。
6.根據權利要求5所述的一種基于圓柱型TSV的矩形波導濾波器，其特征在于，所述組成側壁金屬(4)與膜片(6)的圓柱形硅通孔高度均為100μm，直徑均為10μm。
7.根據權利要求5所述的一種基于圓柱型TSV的矩形波導濾波器，其特征在于，所述膜片(6)中每個相鄰圓柱形硅通孔的間距大于等于10μm。
8.根據權利要求1所述的一種基于圓柱型TSV的矩形波導濾波器，其特征在于，所述側壁金屬(4)和膜片(6)整體鑲嵌在高電阻率的半導體襯底(5)中。
9.根據權利要求8所述的一種基于圓柱型TSV的矩形波導濾波器，其特征在于，所述頂面金屬(2)、底面金屬(3)與襯底(5)的交界處均設置有氧化硅填充塊(1)。
10.根據權利要求1所述的一種基于圓柱型TSV的矩形波導濾波器，其特征在于，所述頂面金屬(2)和底面金屬(3)均采用重布線層RDL工藝制作。
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