[發(fā)明專利]1KΩ高精度電阻網(wǎng)絡(luò)電路及其修調(diào)方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811290170.2
• 申請日: 2018-10-31
• 公開（公告）號: CN109411446A
• 公開（公告）日: 2019-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 顧祥;趙文彬;洪根深;吳建偉
• 申請（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525;H01L27/22
• 代理公司: 無錫派爾特知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32340
• 代理人: 楊立秋

1.1KΩ高精度電阻網(wǎng)絡(luò)電路，其特征在于，包括串聯(lián)的第一電路和第二電路，第一電路由第零量子化霍爾器件R、串聯(lián)的第一量子化霍爾器件4R和反熔絲、串聯(lián)的第二量子化霍爾器件8R和反熔絲、串聯(lián)的第三量子化霍爾器件16R和反熔絲、串聯(lián)的第四量子化霍爾器件32R和反熔絲、串聯(lián)的第五量子化霍爾器件64R和反熔絲、串聯(lián)的第六量子化霍爾器件128R和反熔絲、串聯(lián)的第七量子化霍爾器件256R和反熔絲、以及串聯(lián)的第八量子化霍爾器件512R和反熔絲并聯(lián)而成，第二電路由金屬熔絲、串聯(lián)的第九量子化霍爾器件R/4和反熔絲、串聯(lián)的第十量子化霍爾器件R/4和反熔絲、串聯(lián)的第十一量子化霍爾器件R/4和反熔絲、串聯(lián)的第十二量子化霍爾器件R/4和反熔絲、串聯(lián)的第十三量子化霍爾器件R/4和反熔絲、串聯(lián)的第十四量子化霍爾器件R/4和反熔絲、串聯(lián)的第十五量子化霍爾器件R/4和反熔絲、以及串聯(lián)的第十六量子化霍爾器件R/4和反熔絲并聯(lián)而成，第一電路的兩端設(shè)有引腳PADA和引腳PADB，第二電路未與第一電路連接的一端設(shè)有引腳PADC。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的1KΩ高精度電阻網(wǎng)絡(luò)電路，其特征在于，R為1個量子化霍爾器件，4R為4個量子化霍爾器件的串聯(lián)，8R為8個量子化霍爾器件的串聯(lián)，16R為16個量子化霍爾器件的串聯(lián)，32R為32個量子化霍爾器件的串聯(lián)，64R為64個量子化霍爾器件的串聯(lián)，128R為128個量子化霍爾器件的串聯(lián)，256R為256個量子化霍爾器件的串聯(lián)，512R為512個量子化霍爾器件的串聯(lián)，R/4為4個量子化霍爾器件的并聯(lián)。

3.1KΩ高精度電阻網(wǎng)絡(luò)電路的修調(diào)方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、通過標(biāo)準(zhǔn)工藝制備如權(quán)利要求1或2所述的1KΩ高精度電阻網(wǎng)絡(luò)電路，測量引腳PADA和引腳PADB之間的電阻值，得出測量電阻值；

S2、相對目標(biāo)1KΩ判斷測量電阻值，若測量電阻值大于目標(biāo)1KΩ，則燒通第一量子化霍爾器件4R至第八量子化霍爾器件512R上串聯(lián)的反熔絲中的一個或一個以上用于減小電阻；

若測量電阻值小于目標(biāo)1KΩ，則先燒斷金屬熔絲，再燒通第九量子化霍爾器件R/4至第十六量子化霍爾器件R/4上串聯(lián)的反熔絲中的一個或一個以上用于增大電阻。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的1KΩ高精度電阻網(wǎng)絡(luò)電路的修調(diào)方法，其特征在于，燒斷金屬熔絲的電應(yīng)力條件為：電壓值為3v,時間為5ms；燒通反熔絲的電應(yīng)力條件為：電壓值為4.5v,時間為5ms。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的1KΩ高精度電阻網(wǎng)絡(luò)電路的修調(diào)方法，其特征在于，量子化霍爾器件為采用微加工技術(shù)制備的霍爾棒結(jié)構(gòu)且霍爾棒結(jié)構(gòu)兩側(cè)制備有歐姆接觸電極。