[發(fā)明專利]低熔點(diǎn)金屬墨道及灌墨系統(tǒng)及打印系統(tǒng)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811289329.9
• 申請(qǐng)日: 2018-10-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111112622A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張玉星
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京夢(mèng)之墨科技有限公司
• 主分類號(hào): B22F3/115
• 分類號(hào): B22F3/115;B33Y10/00;B33Y30/00
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

一種低熔點(diǎn)金屬墨道及灌墨系統(tǒng)及打印系統(tǒng)，墨道包括：輸送熔融態(tài)的低熔點(diǎn)金屬的管路；設(shè)置在所述管路中、與管路連通的至少一個(gè)腔室；所述至少一個(gè)腔室中至少存在一個(gè)清洗室，用于去除所述低熔點(diǎn)金屬中的氧元素。本發(fā)明通過(guò)在低熔點(diǎn)金屬的墨道中利用清洗室對(duì)低熔點(diǎn)金屬進(jìn)行去雜、提純的處理，防止了低熔點(diǎn)金屬的純凈度降低的問(wèn)題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于低熔點(diǎn)金屬應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種低熔點(diǎn)金屬墨道及灌墨系統(tǒng)及打印系統(tǒng)。

背景技術(shù)

隨著印刷電子技術(shù)的不斷進(jìn)步，以低熔點(diǎn)金屬(又稱為液態(tài)金屬)為代表的導(dǎo)電流體應(yīng)運(yùn)而生，使得打印導(dǎo)線制作液態(tài)金屬柔性電子電路成為了可能，不僅變革了以往傳統(tǒng)的PCB硬制電子電路制造模式，還極大地降低了電子電路制造時(shí)間和成本。低熔點(diǎn)金屬打印技術(shù)在柔性電路、傳統(tǒng)PCB、天線等電子器件的快速制造上有著得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)，具有十分廣闊的應(yīng)用前景。

低熔點(diǎn)金屬在空氣中極易被氧化，使得低熔點(diǎn)金屬中容易夾雜金屬氧化物，導(dǎo)致低熔點(diǎn)金屬的純凈度降低。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提出一種低熔點(diǎn)金屬墨道,以解決現(xiàn)有技術(shù)中低熔點(diǎn)金屬夾雜金屬氧化物導(dǎo)致低熔點(diǎn)金屬的純凈度降低的問(wèn)題。

在一些說(shuō)明性實(shí)施例中，所述低熔點(diǎn)金屬墨道，包括：輸送熔融態(tài)的低熔點(diǎn)金屬的管路；設(shè)置在所述管路中、與管路連通的至少一個(gè)腔室；所述至少一個(gè)腔室中至少存在一個(gè)清洗室，用于去除所述低熔點(diǎn)金屬中的氧元素。

在一些可選地實(shí)施例中，所述清洗室通過(guò)第一進(jìn)料口和第一出料口與管路連通，其第一進(jìn)料口位于所述清洗室的頂部，其第一出料口位于所述清洗室的底部；所述清洗室中容納有浮于所述低熔點(diǎn)金屬表面上的過(guò)濾液，所述過(guò)濾液與所述低熔點(diǎn)金屬中夾帶的金屬氧化物產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)。

在一些可選地實(shí)施例中，所述過(guò)濾液采用0.1mol/L-0.2mol/L的氫氧化鈉溶液。

在一些可選地實(shí)施例中，所述清洗室的頂部還開(kāi)設(shè)有第二進(jìn)料口，用于灌注所述過(guò)濾液；

在一些可選地實(shí)施例中，所述清洗室的頂部還設(shè)置有調(diào)壓閥、排氣閥和安全閥。

在一些可選地實(shí)施例中，所述清洗室中的還設(shè)置有第一攪拌棒，其攪拌中心控制在所述低熔點(diǎn)金屬的液面中。

在一些可選地實(shí)施例中，所述清洗室的一側(cè)還設(shè)置有液位計(jì)，用于顯示當(dāng)前低熔點(diǎn)金屬的液位。

在一些可選地實(shí)施例中，所述第一出料口向所述清洗室的內(nèi)部延伸出一定高度，避免粘附于清洗室內(nèi)壁上的過(guò)濾液通過(guò)第一出料口進(jìn)入管路。

在一些可選地實(shí)施例中，所述清洗室的底部還開(kāi)設(shè)有第二出料口，與所述清洗室的底面齊平，與廢液池連通。

在一些可選地實(shí)施例中，所述第二出料口與所述廢液池之間設(shè)置有第一開(kāi)關(guān)閥。

在一些可選地實(shí)施例中，所述至少一個(gè)腔室中還包括位于所述管路的起始段的熔煉室；所述熔煉室由連續(xù)的熔煉腔體和散熱腔體構(gòu)成，并且所述熔煉腔體和散熱腔體之間通過(guò)隔熱擋板實(shí)現(xiàn)連通或關(guān)斷；所述低熔點(diǎn)金屬在具有第一溫度的所述熔煉腔體內(nèi)形成，通過(guò)流經(jīng)所述散熱腔體，經(jīng)過(guò)所述散熱腔體的熱傳遞作用降低至第二溫度，再進(jìn)入所述管路。

在一些可選地實(shí)施例中，所述熔煉腔體內(nèi)還設(shè)置有第二攪拌棒。

在一些可選地實(shí)施例中，所述低熔點(diǎn)金屬由兩種及兩種以上的金屬經(jīng)過(guò)合金反應(yīng)形成。

在一些可選地實(shí)施例中，所述至少一個(gè)腔室中還包括位于所述清洗室之后的管路上的儲(chǔ)液室，用于存儲(chǔ)經(jīng)過(guò)所述清洗室提純后的所述低熔點(diǎn)金屬。