[發(fā)明專利]一種MOS管的閾值電壓檢測(cè)方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811289295.3 | 申請(qǐng)日: | 2018-10-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109188236A | 公開(公告)日: | 2019-01-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王靚;莫保章 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R31/26 | 分類號(hào): | G01R31/26 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務(wù)所 31272 | 代理人: | 俞滌炯 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電流曲線 測(cè)試儀器 閾值電壓檢測(cè) 漏極 最小二乘法擬合 最小二乘法 閾值電壓Vt 電性連接 基極接地 接地放電 施加電壓 閾值電壓 傳統(tǒng)的 異常點(diǎn) 正整數(shù) 直線法 步進(jìn) 擬合 施加 測(cè)試 檢測(cè) | ||
本發(fā)明涉及一種MOS管的閾值電壓檢測(cè)方法,包括以下步驟:步驟S1、提供一測(cè)試儀器,將所述測(cè)試儀器接地放電;步驟S2、將一MOS管與所述測(cè)試儀器電性連接;步驟S3、將所述MOS管的基極接地,向所述MOS管的漏極施加偏壓Vd;步驟S4、向所述MOS管的柵極按一定步進(jìn)施加電壓Vgi,同時(shí)測(cè)試所述MOS管的所述漏極的電流Idi;步驟S5、根據(jù)Vgi和Idi,采用最小二乘法擬合,得到跨導(dǎo)值?電流曲線,并根據(jù)所述跨導(dǎo)值?電流曲線處理得到所述MOS管的閾值電壓Vt;其中,i=1、2、……、n,n為大于1的正整數(shù)。其優(yōu)點(diǎn)在于,通過最小二乘法對(duì)MOS管的跨導(dǎo)值?電流曲線進(jìn)行擬合,與傳統(tǒng)的兩點(diǎn)直線法相比,減少了異常點(diǎn)對(duì)跨導(dǎo)值?電流曲線的影響,使得檢測(cè)獲得的閾值電壓精確。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及微電子性能測(cè)試,尤其涉及一種MOS管的閾值電壓檢測(cè)方法。
背景技術(shù)
對(duì)金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)進(jìn)行性能測(cè)試時(shí),通常需要檢測(cè)MOS管的閾值電壓。
現(xiàn)有的檢測(cè)方法是使用Gm測(cè)試方法推導(dǎo)得到MOS管的閾值電壓,其工作原理為通過向MOS管的柵極施加不同的電壓值V,然后收集漏極的電流I,得到I-V特性曲線,然后計(jì)算得到跨導(dǎo)值(Gm,即ΔI/ΔV,I-V曲線的斜率)的最大值,然后推導(dǎo)得到閾值電壓。
但是由于檢測(cè)過程中會(huì)出現(xiàn)意外情況,會(huì)導(dǎo)致跨導(dǎo)值-電流曲線(Gm-Id)出現(xiàn)異常點(diǎn),異常點(diǎn)通常會(huì)大幅度偏離,由于通常使用兩點(diǎn)直線法進(jìn)行曲線擬合,使得計(jì)算得到的跨導(dǎo)值的最大值出現(xiàn)偏差,進(jìn)而影響MOS管的閾值電壓的檢測(cè)值。
因此,亟需一種降低異常點(diǎn)對(duì)跨導(dǎo)值-電流曲線影響的檢測(cè)方法,使得測(cè)量的MOS管的閾值電壓準(zhǔn)確。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的不足,提供一種MOS管的閾值電壓檢測(cè)方法。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采取的技術(shù)方案是:
一種MOS管的閾值電壓檢測(cè)方法,包括以下步驟:
步驟S1、提供一測(cè)試儀器,將所述測(cè)試儀器接地放電;
步驟S2、將一MOS管與所述測(cè)試儀器電性連接;
步驟S3、將所述MOS管的基極接地,向所述MOS管的漏極施加偏壓Vd;
步驟S4、向所述MOS管的柵極按一定步進(jìn)施加電壓Vgi,同時(shí)測(cè)試所述MOS管的所述漏極的電流Idi;
步驟S5、根據(jù)Vgi和Idi,采用最小二乘法擬合,得到跨導(dǎo)值-電流曲線,并根據(jù)所述跨導(dǎo)值-電流曲線處理得到所述MOS管的閾值電壓Vt;
其中,i=1、2、……、n,n為大于1的正整數(shù)。
優(yōu)選地,在所述步驟S2中,所述測(cè)試儀器包括第一源測(cè)量單元、第二源測(cè)量單元和第三源測(cè)量單元,所述MOS管的漏極與所述第一源測(cè)量單元電性連接,所述MOS管的柵極與所述第二源測(cè)量單元電性連接,所述MOS管的基極與所述第三源測(cè)量單元電性連接。
優(yōu)選地,n為大于3的正整數(shù)。
優(yōu)選地,在所述步驟S5中,跨導(dǎo)值-電流曲線的公式為Id(Vg)=a0+a1Vg;
其中,a0和a1滿足并且F(a0,a1)的值最小。
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過端—不過端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
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