[發明專利]一種MOS管的閾值電壓檢測方法在審
| 申請號： | 201811289295.3 | 申請日： | 2018-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN109188236A | 公開（公告）日： | 2019-01-11 |
| 發明（設計）人： | 王靚;莫保章 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 俞滌炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電流曲線 測試儀器 閾值電壓檢測 漏極 最小二乘法擬合 最小二乘法 閾值電壓Vt 電性連接 基極接地 接地放電 施加電壓 閾值電壓 傳統的 異常點 正整數 直線法 步進 擬合 施加 測試 檢測 | ||
1.一種MOS管的閾值電壓檢測方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟S1、提供一測試儀器，將所述測試儀器接地放電；
步驟S2、將一MOS管與所述測試儀器電性連接；
步驟S3、將所述MOS管的基極接地，向所述MOS管的漏極施加偏壓Vd；
步驟S4、向所述MOS管的柵極按一定步進施加電壓Vgi，同時測試所述MOS管的所述漏極的電流Idi；
步驟S5、根據Vgi和Idi，采用最小二乘法擬合，得到跨導值-電流曲線，并根據所述跨導值-電流曲線處理得到所述MOS管的閾值電壓Vt；
其中，i＝1、2、……、n，n為大于1的正整數。
2.根據權利要求1所述的MOS管的閾值電壓檢測方法，其特征在于，在所述步驟S2中，所述測試儀器包括第一源測量單元、第二源測量單元和第三源測量單元，所述MOS管的漏極與所述第一源測量單元電性連接，所述MOS管的柵極與所述第二源測量單元電性連接，所述MOS管的基極與所述第三源測量單元電性連接。
3.根據權利要求1所述的MOS管的閾值電壓檢測方法，其特征在于，n為大于3的正整數。
4.根據權利要求1或3任一所述的MOS管的閾值電壓檢測方法，其特征在于，在所述步驟S5中，Gm-Id曲線的公式為Id(Vg)＝a0+a1Vg；
其中，a0和a1滿足并且F(a0,a1)的值最小。
5.根據權利要求4所述的MOS管的閾值電壓檢測方法，其特征在于，a0和a1的計算公式如下：
6.根據權利要求1所述的MOS管的閾值電壓檢測方法，其特征在于，在所述步驟S5中，根據所述跨導值-電流曲線，計算得到跨導值的最大值，并根據所述跨導值的最大值計算閾值電壓Vt。
7.根據權利要求1所述的MOS管的閾值電壓檢測方法，其特征在于，在所述步驟S5中，采用最小二乘法，對相鄰的至少三個數值點(Vgi，Idi)進行擬合。
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