[發明專利]半導體器件的制作方法及CMOS圖像傳感器的制作方法

有效

• 申請號: 201811288623.8
• 申請日: 2018-10-31
• 公開（公告）號: CN109449079B
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 林率兵;李全寶
• 申請（專利權）人: 豪威科技（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/266;H01L27/146
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一襯底；

在所述襯底上形成圖形化的第一光阻，所述圖形化的第一光阻具有第一開口；

以所述圖形化的第一光阻為掩蔽層在所述襯底中注入第一類雜質離子；

形成填充所述第一開口并覆蓋所述圖形化的第一光阻的掩膜層；

反刻蝕所述掩膜層以暴露出所述圖形化的第一光阻；

去除所述圖形化的第一光阻以形成圖形化的掩膜層，所述圖形化的掩膜層具有第二開口；

以所述圖形化的掩膜層為掩蔽層在所述襯底中注入第二類雜質離子；以及

去除所述圖形化的掩膜層。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，注入第一類雜質離子之后，形成掩膜層之前，還包括：

去除部分圖形化的第一光阻，以使所述第一開口變寬。

3.如權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，去除所述圖形化的第一光阻之后，注入第二類雜質離子之前，還包括：

形成圖形化的第二光阻，所述圖形化的第二光阻覆蓋所述襯底的部分區域。

4.如權利要求3所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述圖形化的第二光阻還覆蓋所述掩膜層的部分區域。

5.如權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述掩膜層的材料為旋涂玻璃或旋涂介電材料。

6.如權利要求5所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，形成所述旋涂玻璃的工藝包括旋涂和固化。

7.如權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述第一類雜質離子是P型離子，所述第二類雜質離子是N型離子；或者，所述第一類雜質離子是N型離子，所述第二類雜質離子是P型離子。

8.一種CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，所述襯底用于制作像素單元；

在所述襯底上形成圖形化的第一光阻，所述圖形化的第一光阻具有第一開口；

以所述圖形化的第一光阻為掩蔽層在所述襯底中注入第一類雜質離子，形成感光區；

形成填充所述第一開口并覆蓋所述圖形化的第一光阻的掩膜層；

反刻蝕所述掩膜層以暴露出所述圖形化的第一光阻；

去除所述圖形化的第一光阻以形成圖形化的掩膜層，所述圖形化的掩膜層具有第二開口；

以所述圖形化的掩膜層為掩蔽層在所述襯底中注入第二類雜質離子，形成隔離區；以及

去除所述圖形化的掩膜層。

9.如權利要求8所述的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，去除所述圖形化的第一光阻之后，注入第二類雜質離子之前，還包括：

形成圖形化的第二光阻，所述圖形化的第二光阻覆蓋所述襯底的部分區域。

10.如權利要求9所述的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，

所述圖形化的第二光阻覆蓋所述襯底的區域為遮光區。