[發明專利]一種設計于片式陶瓷基體特定區域的金屬線路及其制備方法

有效

• 申請號: 201811287216.5
• 申請日: 2018-10-31
• 公開（公告）號: CN109496066B
• 公開（公告）日: 2021-08-13
• 發明（設計）人: 吳昊;蔣海英
• 申請（專利權）人: 上海安費諾永億通訊電子有限公司
• 主分類號: H05K1/11
• 分類號: H05K1/11;H05K1/02;H05K3/12
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236
• 代理人: 胡晶

本發明公開了一種設計于片式陶瓷基體特定區域的金屬線路，陶瓷基體由一層或多層片式陶瓷疊構而成，所述片式陶瓷的單層厚度為0.05mm～0.3mm；特定區域為所述片式陶瓷的側壁區域，所述側壁區域上設置有金屬線路；所述側壁區域的金屬線路與所述片式陶瓷的上表面和/或下表面的金屬線路相連通或斷開；并且提供一種設計于片式陶瓷基體特定區域的金屬線路的制備方法，該方法在所述特定區域印刷金屬線路前，在對應區域設置保護層。本發明可保證金屬線路精確的位于極薄的側壁之內而不外溢到上下兩個表面區域，可靈活、最大化的實現對陶瓷基體各個面的有效利用。

技術領域

本發明屬于片式陶瓷的技術領域，特別涉及一種設計于片式陶瓷基體特定區域的金屬線路及其制備方法。

背景技術

對于本技術領域的人員而言，片式陶瓷基體的上下兩個表面是用來設計金屬線路的常規區域，還可以通過設計過孔線路用來導通上下兩個表面上的金屬線路。實際上，除此之外，片式陶瓷基體上還有一些特定區域是沒有被利用到的，例如片式陶瓷基體的外形尺寸的外側壁，片式陶瓷基體的內部空腔的內側壁等。在這些特定區域設計金屬線路的難點來源于片式陶瓷的結構特點和其制備工藝。片式陶瓷的單層厚度較薄，一般情況下，最薄設計往往只有幾微米/層至幾十微米/層，最厚設計往往也只有幾百微米/層至1毫米/層。在制備時，如何保證金屬線路只位于如此薄的區域之內而不外溢到上下兩個表面區域是一大難點。

發明內容

基于以上問題，本發明的方案是提供一種設計于片式陶瓷基體特定區域上的金屬線路。

本發明的技術方案如下：

一種設計于片式陶瓷基體特定區域的金屬線路，陶瓷基體由一層或多層片式陶瓷疊構而成，所述片式陶瓷的單層厚度為0.05mm～0.3mm；特定區域為所述片式陶瓷的側壁區域，所述側壁區域上設置有金屬線路；

所述側壁區域的金屬線路與所述片式陶瓷的上表面和/或下表面的金屬線路相連通或斷開。

優選的，所述片式陶瓷的層數為1～20層；所述陶瓷基體的材質選自氧化鋯、氧化鋁、氧化鈣、氧化鎂、氧化鈷、氧化鎳、氧化鐵、氧化釔、氧化鑭、氧化鈦、氧化銅、氧化硼、氧化硅、氧化鉍、氧化鎳中的任意一種或幾種的組合；所述金屬線路的材質選自銀、銅、鎳、金、鎢、鉬、鋁中的任意一種或幾種的組合。

優選的，所述側壁區域為除所述片式陶瓷的上下兩個表面之外的區域，包括所述片式陶瓷的外側壁和/或片式陶瓷內部空腔的內側壁；所述側壁區域的金屬線路通過金屬連接引線與所述片式陶瓷的上表面和/或下表面的金屬線路相連通。

本發明還提供一種設計于片式陶瓷基體特定區域的金屬線路的制備方法，該方法在所述特定區域印刷金屬線路前，在對應區域設置保護層；所述保護層為薄膜基材或可高溫燃盡的材料層，所述高溫燃盡的材料層由可高溫燃盡的固體材料配制而成的漿料經干燥固化而成；所述對應區域位于所述陶瓷基體或所述片式陶瓷的上表面和/或下表面，并且包括側壁區域與該上表面和/或下表面的交界處。

優選的，所述保護層由可高溫燃盡的固體材料配置而成的漿料經干燥固化而成時，所述漿料中的固體成分選自淀粉、碳粉、石墨粉以及在后續的燒結工序中可確保被燃盡的任何其他有機材料中的任意一種或幾種的組合。

優選的，還包括高溫燒結步驟，燒結溫度為700℃至1600℃，時間為2h至48h。

本發明還提供一種如上所述的設計于片式陶瓷基體特定區域的金屬線路的制備方法，該方法包含如下步驟：

S1)按照厚度要求，利用流延工藝制備片式陶瓷素坯；

S2)配置保護層漿料；

S3)利用絲網印刷工藝，在所述片式陶瓷素坯的上表面和/或下表面所對應的區域印刷上一層步驟S2所述保護層漿料，并對印刷的所述保護層漿料進行干燥；