[發明專利]一種設計于片式陶瓷基體特定區域的金屬線路及其制備方法

有效

• 申請號: 201811287216.5
• 申請日: 2018-10-31
• 公開（公告）號: CN109496066B
• 公開（公告）日: 2021-08-13
• 發明（設計）人: 吳昊;蔣海英
• 申請（專利權）人: 上海安費諾永億通訊電子有限公司
• 主分類號: H05K1/11
• 分類號: H05K1/11;H05K1/02;H05K3/12
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236
• 代理人: 胡晶

1.一種設計于片式陶瓷基體特定區域的金屬線路的制備方法，其特征在于，包含如下步驟：

S1) 按照厚度要求，利用流延工藝制備片式陶瓷素坯，所述片式陶瓷素坯的厚度為0.05mm~0.3mm；

S2) 配置保護層漿料；

S3) 利用絲網印刷工藝，在所述片式陶瓷素坯的上表面和/或下表面所對應區域上印刷一層步驟S2所述保護層漿料，并對印刷的所述保護層漿料進行干燥；

S4) 利用沖孔及裁切設備對步驟S3所得的所述片式陶瓷素坯進行加工，獲得側壁區域；

S5) 配置金屬線路漿料；

S6) 利用絲網印刷工藝，在步驟S4所得的所述片式陶瓷素坯的側壁區域上印刷一層步驟S5所述金屬線路漿料，并對印刷的所述金屬線路漿料進行干燥；

S7) 按照層數要求，將一層或多層步驟S6所得的所述片式陶瓷素坯進行疊層對齊并熱壓；

S8) 對步驟S7熱壓后的所述片式陶瓷素坯進行高溫燒結，得到陶瓷基體。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于， 還包括步驟S9) 利用電鍍和/或化鍍工藝，對步驟S8所述陶瓷基體上的金屬線路層進行增厚。

3.一種設計于片式陶瓷基體特定區域的金屬線路的制備方法，其特征在于，包含如下步驟：

S1) 按照厚度要求，利用流延工藝制備片式陶瓷素坯，所述片式陶瓷素坯的厚度為0.05mm~0.3mm，所述流延工藝為薄膜流延工藝，所述薄膜流延工藝中使用的薄膜基材保留在所述片式陶瓷素坯上；

S2) 利用激光切割和/或機械切割設備對步驟S1所述片式陶瓷素坯以及附在其上的所述薄膜基材進行加工，獲得側壁區域；

S3) 配置金屬線路漿料；

S4) 利用絲網印刷工藝，在步驟S2加工所得的所述片式陶瓷素坯的側壁區域所對應的區域印刷一層步驟S3所述金屬線路漿料，并對所述金屬線路漿料進行干燥；

S5) 分離步驟S4處理后的所述薄膜基材和所述片式陶瓷素坯，并對所述片式陶瓷素坯上的漿料進行干燥；

S6) 按照層數要求，將一層或多層步驟S5所得的所述片式陶瓷素坯進行疊層對齊并熱壓；

S7) 對步驟S6所得的所述片式陶瓷素坯進行高溫燒結，得到陶瓷基體。

4.如權利要求3所述的制備方法，其特征在于， 還包括S8) 利用電鍍和/或化鍍工藝，對步驟S7所述陶瓷基體上的金屬線路層進行增厚。

5.如權利要求3所述的制備方法，其特征在于，步驟S4中印刷所述金屬線路漿料時，將所述薄膜基材一側朝上，所述片式陶瓷素坯一側朝下，使所述金屬線路漿料沿所述薄膜基材側向所述片式陶瓷素坯側印刷。

6.一種設計于片式陶瓷基體特定區域的金屬線路，其特征在于，陶瓷基體由一層或多層片式陶瓷疊構而成，所述片式陶瓷的單層厚度為0.05mm~0.3mm；特定區域為所述片式陶瓷的側壁區域，所述側壁區域上設置有金屬線路；

所述側壁區域的金屬線路與所述片式陶瓷的上表面和/或下表面的金屬線路相連通或斷開；

設計于片式陶瓷基體特定區域的金屬線路由權利要求1或3所述的制備方法制備。

7.如權利要求6所述的金屬線路，其特征在于，所述片式陶瓷的層數為1~20層；所述陶瓷基體的材質選自氧化鋯、氧化鋁、氧化鈣、氧化鎂、氧化鈷、氧化鎳、氧化鐵、氧化釔、氧化鑭、氧化鈦、氧化銅、氧化硼、氧化硅、氧化鉍、氧化鎳中的任意一種或幾種的組合；所述金屬線路的材質選自銀、銅、鎳、金、鎢、鉬、鋁中的任意一種或幾種的組合。

8.如權利要求6所述的金屬線路，其特征在于，所述側壁區域為除所述片式陶瓷的上下兩個表面之外的區域，包括所述片式陶瓷的外側壁和/或片式陶瓷內部空腔的內側壁；所述側壁區域的金屬線路通過金屬連接引線與所述片式陶瓷的上表面和/或下表面的金屬線路相連通。