[發明專利]平板探測器結構及其制備方法有效
| 申請號: | 201811283739.2 | 申請日: | 2018-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN109585477B | 公開(公告)日: | 2021-03-19 |
| 發明(設計)人: | 羅宏德;金利波 | 申請(專利權)人: | 奕瑞影像科技(太倉)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;G01N23/083;G01N23/085 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 佟婷婷 |
| 地址: | 215434 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 平板 探測器 結構 及其 制備 方法 | ||
本發明提供一種平板探測器結構及其制備方法,制備方法包括:提供基底,于基底上制備下電極層;提供射線吸收材料液體,射線吸收材料液體包括含鉛化合物液體;將射線吸收材料液體涂布于下電極層上,以基于涂布的射線吸收材料液體于下電極層上制備轉光層;于轉光層上制備上電極層。本發明改進了現有的轉光層的材料,提高了轉光層的射線吸收能力,減小了轉光層的厚度,對轉光層等的形成方法進行設計,解決了形成多晶結構存在的問題,提高器件化學組成及相的均一性,提高圖像的均勻性,提高原料的有效利用率,簡化工藝設備,對探測器的結構進行設計,改善了漏電流的問題,降低了探測器的噪聲,提高了靈敏度及對比度,改善了探測器電極材料,降低成本。
技術領域
本發明屬于射線探測技術領域,特別是涉及一種平板探測器結構及制備方法。
背景技術
X射線輻射成像利用X射線短波長、易穿透的性質,不同物質對X射線吸收不同的特點,通過探測透過物體的X射線的強度來成像。直接型平板探測器,是使用半導體材料將X射線光子直接轉換成載流子(電子或空穴)并讀出成像的技術。直接型平板探測器有著高靈敏度與高對比度的特點,可應用于醫療輻射成像、工業探傷、安檢等領域。
目前,直接型平板探測器以基于非晶硒(Se)材料的占據了絕對的主流,目前商業化的直接型X射線探測器轉光層(轉光層也稱為轉化層,作用是將高能量的入射X射線光子并轉化為載流子(電子空穴對)的一種膜層)材料由非晶硒(Se)組成,非晶硒材料有著容易大規模均勻成膜的優點,故而被廣泛使用。然而,非晶硒材料有如下缺點:非晶硒的晶化溫度為70℃左右,非晶硒晶化后變成多晶,導致器件性能發生變化,在極端條件下引起器件失效(如:在夏天密閉的沒有空調的車廂內運輸時,由于車廂內長時間的高溫會使得非晶硒薄膜逐漸晶化為多晶,最終導致產品性能變化甚至失效);硒的原子序數低(34),所以其對X射線(尤其是高能X射線)吸收差,為了充分吸收X射線,需要提高非晶硒膜厚,膜厚的增加會導致:膜層的均勻性變差,導致成像質量劣化;為了充分收集電荷,膜層兩端的電壓增加(如:膜層厚度在200um時,電壓約為2000V;而當膜層厚度達到2000um時,需要的電壓約為20000V),高壓的使用不僅會使器件的設計難度與成本上升、可靠性下降,更容易對操作者及患者造成安全隱患(如漏電)。
因此,如何提供一種平板探測器結構及其制備方法,以解決現有技術中轉光層的上述問題并對其進行改進實屬必要。
發明內容
鑒于以上所述現有技術的缺點,本發明的目的在于提供一種平板探測器結構及其制備方法,用于解決現有技術中轉光層材料存在的吸收差等問題。
為實現上述目的及其他相關目的,本發明提供一種平板探測器結構的制備方法,包括如下步驟:
提供基底,并于所述基底上制備下電極層;
提供射線吸收材料液體,其中,所述射線吸收材料液體包括含鉛化合物液體;
將所述射線吸收材料液體涂布于所述下電極層上,以基于涂布的所述射線吸收材料液體于所述下電極層上制備轉光層;以及
于所述轉光層上制備上電極層。
作為本發明的一種可選方案,所述含鉛化合物液體的構成包括射線吸收材料及有機溶劑,其中,所述射線吸收材料包括含鉛化合物,所述射線吸收材料溶于所述有機溶劑中形成所述含鉛化合物液體。
作為本發明的一種可選方案,所述含鉛化合物包括PbO、PbO2、Pb3O4、Pb12O19、PbI2、PbBr2、PbF2、PbS、PbSe以及PbTe中的至少一種;所述有機溶劑包括乙醇。
作為本發明的一種可選方案,將所述射線吸收材料液體涂布于所述下電極層上的方式包括:刮涂、擠壓式狹縫涂布、噴墨打印及絲網印刷中的任意一種。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于奕瑞影像科技(太倉)有限公司,未經奕瑞影像科技(太倉)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811283739.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





