[發明專利]平板探測器結構及其制備方法

有效

• 申請號: 201811283739.2
• 申請日: 2018-10-31
• 公開（公告）號: CN109585477B
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 羅宏德;金利波
• 申請（專利權）人: 奕瑞影像科技（太倉）有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;G01N23/083;G01N23/085
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 佟婷婷

1.一種平板探測器結構的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供基底，并于所述基底上制備下電極層；

提供射線吸收材料液體，其中，所述射線吸收材料液體包括含鉛化合物液體；

將所述射線吸收材料液體涂布于所述下電極層上，以基于涂布的所述射線吸收材料液體于所述下電極層上制備轉光層；

所述轉光層包括PbO膜層；所述PbO膜層厚度為50μm-800μm；

以及

于所述轉光層上制備上電極層，所述上電極層的材料包括Ag、Al以及Mo中的至少一種；

所述制備方法中還包括形成界面層的步驟，所述界面層包括空穴傳輸層，所述空穴傳輸層形成于所述轉光層與所述上電極層之間；

所述空穴傳輸層的材料包括Se及MoO₃中的至少一種。

2.根據權利要求1所述的平板探測器結構的制備方法，其特征在于，所述含鉛化合物液體的構成包括射線吸收材料及有機溶劑，其中，所述射線吸收材料包括含鉛化合物，所述射線吸收材料溶于所述有機溶劑中形成所述含鉛化合物液體。

3.根據權利要求2所述的平板探測器結構的制備方法，其特征在于，所述含鉛化合物還包括PbO₂、Pb₃O₄、Pb₁₂O₁₉、PbI₂、PbBr₂、PbF₂、PbS、PbSe以及PbTe中的至少一種；所述有機溶劑包括乙醇。

4.根據權利要求1所述的平板探測器結構的制備方法，其特征在于，將所述射線吸收材料液體涂布于所述下電極層上的方式包括：刮涂、擠壓式狹縫涂布、噴墨打印及絲網印刷中的任意一種。

5.根據權利要求1所述的平板探測器結構的制備方法，其特征在于，所述基底包括基板以及形成于所述基板上的晶體管功能層，其中，所述晶體管功能層包括晶體管源極，所述晶體管源極與所述下電極層電連接。

6.根據權利要求1-5中任意一項所述的平板探測器結構的制備方法，其特征在于，所述界面層包括電子傳輸層，所述電子傳輸層形成于所述轉光層與所述下電極層之間。

7.根據權利要求6所述的平板探測器結構的制備方法，其特征在于，形成所述電子傳輸層的方式包括刮涂、擠壓式狹縫涂布、噴墨打印及絲網印刷中的任意一種；形成所述空穴傳輸層的方式包括刮涂、擠壓式狹縫涂布、噴墨打印及絲網印刷中的任意一種。

8.根據權利要求6所述的平板探測器結構的制備方法，其特征在于，所述電子傳輸層的材料包括TiO₂及AZO中的至少一種。

9.一種平板探測器結構，其特征在于，包括：

基底；

下電極層，形成于所述基底上；

轉光層，形成于所述下電極層上，其中，所述轉光層包括含鉛材料層，所述含鉛材料層中包括含鉛化合物；

所述轉光層包括PbO膜層；所述PbO膜層厚度為50μm-800μm；

以及

上電極層，形成于所述轉光層上，所述上電極層的材料包括Ag、Al以及Mo中的至少一種；

所述平板探測器結構還包括界面層，所述界面層包括空穴傳輸層，所述空穴傳輸層位于所述轉光層與所述上電極層之間；

所述空穴傳輸層的材料選自于Se及MoO₃中的至少一種。

10.根據權利要求9所述的平板探測器結構，其特征在于，所述含鉛化合物還包括PbO₂、Pb₃O₄、Pb₁₂O₁₉、PbI₂、PbBr₂、PbF₂、PbS、PbSe以及PbTe中的至少一種。