[發明專利]一種封裝過程中形成金屬電極的方法

有效

• 申請號: 201811282483.3
• 申請日: 2018-10-31
• 公開（公告）號: CN111106018B
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 何雨桐;何忠亮;張旭東;徐光澤;李金樣
• 申請（專利權）人: 深圳市鼎華芯泰科技有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/48
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本公開涉及一種封裝過程中形成金屬電極的方法，包括如下步驟：S100：選擇承載片作為承載封裝體的封裝載板，其中，所述承載片能夠相對于所述封裝體剝離并重復用于所述封裝載板；S200：對承載片進行處理，使得承載片的一部分區域形成比承載片更薄的介質附著的第一區域，以及使得承載片的至少另一部分區域能夠進行電鍍以形成金屬電極附著的第二區域；其中，當所述承載片相對于所述封裝體剝離后，所述金屬電極隸屬于所述封裝體；所述介質包括如下任一：離型膜，過渡鍍層，或其他能與封裝體或承載片形成弱結合力的介質。以此，本公開實現了一種更簡單、更環保、更低成本的封裝過程中形成金屬電極的方法及其配套工藝。

技術領域

本公開屬于電子領域，其具體涉及一種封裝過程中形成金屬電極的方法。

背景技術

集成電路產業是信息化社會的基礎性和先導性產業，其中，各種集成電路的封裝及測試是整個產業鏈中的重要一環。就封裝技術而已，主流的封裝技術多采用HDI技術路線，其核心在于微孔導通與細線路的形成，然而該技術路線的設備及技術門檻高，投入大，需匹配專用的載板基材，且尺寸厚度受材料規格限制、其中形成電極的方法對于金屬的需求非常大。

如何設計一種更簡單、更環保、更低成本的封裝過程中形成電極的方法及其配套工藝，是封裝產業亟須解決的技術問題。

發明內容

針對現有技術的不足，本公開揭示了一種封裝過程中形成金屬電極的方法，包括如下步驟：

S100：選擇承載片作為承載封裝體的封裝載板，其中，所述承載片能夠相對于所述封裝體剝離并重復用于所述封裝載板；

S200：對承載片進行處理，使得承載片的一部分區域形成比承載片更薄的介質附著的第一區域，以及使得承載片的至少另一部分區域能夠進行電鍍以形成金屬電極附著的第二區域；其中，當所述承載片相對于所述封裝體剝離后，所述金屬電極隸屬于所述封裝體；所述介質包括如下任一：離型膜，過渡鍍層，或其他能與封裝體或承載片形成弱結合力的介質。

通過上述技術方案，本公開實現了一種新穎的封裝過程中形成金屬電極的方法，其結構簡單，具備承載片和金屬電極相剝離的特點，能夠提高生產效率、降低成本、更加環保。

附圖說明

圖1-1為本公開一個實施例的示意圖；

圖1-2為本公開一個實施例的示意圖；

圖1-3為本公開另一個實施例的結構示意圖；

圖1-4為本公開另一個實施例的結構示意圖；

圖2為本公開另一個實施例的示意圖；

圖3為本公開另一個實施例的示意圖；

圖4-1為本公開另一個實施例的示意圖；

圖4-2為本公開另一個實施例的示意圖；

圖4-3為本公開另一個實施例的示意圖；

圖5-1為本公開另一個實施例的示意圖；

圖5-2為本公開另一個實施例的示意圖；

圖5-3為本公開另一個實施例的示意圖；

圖5-4為本公開另一個實施例的示意圖；

圖6為本公開另一個實施例的結構示意圖；

圖7-1為本公開另一個實施例的結構示意圖；

圖7-2為本公開另一個實施例的結構示意圖；

圖7-3為本公開另一個實施例的結構示意圖；

圖8-1為本公開另一個實施例的結構示意圖；