[發(fā)明專利]一種封裝過程中形成金屬電極的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811282483.3
• 申請日: 2018-10-31
• 公開（公告）號: CN111106018B
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 何雨桐;何忠亮;張旭東;徐光澤;李金樣
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市鼎華芯泰科技有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/48
• 代理公司: 暫無信息
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1.一種封裝過程中形成金屬電極的方法，包括如下步驟：

S100：選擇承載片作為承載封裝體的封裝載板，其中，所述承載片能夠相對于所述封裝體剝離并重復(fù)用于所述封裝載板；

S200：對承載片進行處理，使得承載片的一部分區(qū)域形成比承載片更薄的介質(zhì)附著的第一區(qū)域，以及使得承載片的至少另一部分區(qū)域能夠進行電鍍以形成金屬電極附著的第二區(qū)域；其中，當(dāng)所述承載片相對于所述封裝體剝離后，所述金屬電極隸屬于所述封裝體；所述介質(zhì)包括如下任一：離型膜，過渡鍍層，或其他能與封裝體或承載片形成弱結(jié)合力的介質(zhì)；

所述介質(zhì)而言，其一方面比承載片更薄，另一方面，其與封裝體或承載片之間需要形成弱結(jié)合力，以有利于承載片相對于封裝體剝離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，

所述承載片為帶狀。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

所述承載片的長向為閉環(huán)模式。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

所述承載片包括如下任一：熱膨脹系數(shù)較低的不銹鋼、或熱膨脹系數(shù)與塑封樹脂匹配的其他金屬。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在步驟S200之后還包括步驟：

S300：對第一區(qū)域中的所述介質(zhì)，附著絕緣層；其中，當(dāng)所述承載片相對于所述封裝體剝離后，所述絕緣層隸屬于所述封裝體。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在步驟S200之后還包括步驟：

S400：在所述第二區(qū)域中選擇不同金屬電極之間的第三區(qū)域作為跨接部位，并在跨接部位附著絕緣底膜；

S500：在所述絕緣底膜上附著導(dǎo)電漿料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

所述金屬電極上能夠附著第一附著物，當(dāng)所述承載片相對于所述封裝體剝離后，所述第一附著物隸屬于所述封裝體。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中：

所述絕緣層上能夠附著第二附著物，當(dāng)所述承載片相對于所述封裝體剝離后，所述第二附著物隸屬于所述封裝體。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的方法，其中：

所述附著物具有多層結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

利用帶粘性的轉(zhuǎn)移物，使得所述承載片被剝離。