[發明專利]懷遠白花玉石籽石榴無性快速培育方法在審
| 申請號: | 201811281703.0 | 申請日: | 2018-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN109496840A | 公開(公告)日: | 2019-03-22 |
| 發明(設計)人: | 錢晶晶;胡友軍;高青海 | 申請(專利權)人: | 安徽科技學院 |
| 主分類號: | A01H4/00 | 分類號: | A01H4/00 |
| 代理公司: | 北京科家知識產權代理事務所(普通合伙) 11427 | 代理人: | 陳娟 |
| 地址: | 233100 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 石榴 培養基 蔗糖 瓊脂 玉石 快速培育 愈傷組織誘導 滅菌條件 生根誘導 外植體 莖段 莖尖 種苗 葉片 誘導 培育 | ||
1.一種懷遠白花玉石籽石榴無性快速培育方法,其特征在于,包括如下步驟:
1)外植體選擇及預處理:選擇健壯的無病蟲害玉石籽石榴的新生腋芽、嫩莖段及新生葉片,作為組織培養的外植體,用流水沖洗10min后采用10mg/L GA3浸泡30min后備用;
2)外植體接種:
腋芽接種:取上述GA3浸泡好的腋芽,用75%酒精浸泡30sec后移入超凈工作臺,在超凈工作臺上,先用無菌水沖洗3遍,再用解剖針剝去芽鱗,后用0.1%HgCl2消毒8min,無菌水沖洗5遍后切去腋芽下方木質部,接種于初代腋芽接種培養基上;
莖段接種:取上述GA3浸泡好的莖段用75%酒精浸泡30sec后移入超凈工作臺,在超凈工作臺上,先用無菌水沖洗3遍,后用0.1%HgCl2消毒5min,無菌水沖洗5遍,切長1.0-1.5cm、只含1個節點的莖段,接種在初代莖段培養基上;
葉片接種:取上述GA3浸泡好的葉片用75%酒精浸泡30sec后移入超凈工作臺,在超凈工作臺上,先用無菌水沖洗3遍,后用0.1%HgCl2消毒3min,無菌水沖洗5遍,將葉片切成1.0*1.0cm2小塊,并將葉片背面劃傷,將背面貼向培養基,接種于初代葉片接種培養基上;
3)增殖培養:上述腋芽接種25d、莖段接種20d、葉片接種40d后,將生長好外植體取切成1.5-2cm莖段,每段含有1-2個莖節,接種于增殖培養基中,在培養室培養35-40d;
4)生根培養:上述外植體增殖培養35-40d后,將外植體切除底部愈傷,然后接種于生根培養基中,在培養室培養45d;
5)煉苗:打開組培瓶蓋,進行煉苗,煉苗時間為3-5d;
6)移栽:煉苗后,挑選健壯幼苗洗凈根部培養基,移栽到基質育苗盤中,放置于溫室中,光照為自然光照,溫度為16-30℃,空氣相對濕度70%,每日早晚于葉片上噴水,保持葉面及土壤濕潤,每隔兩周噴施稀釋10倍WPM工作液,移栽30d后,大田種植。
2.根據權利要求1所述的懷遠白花玉石籽石榴無性快速培育方法,其特征在于,所述步驟1)中外植體來源是懷遠縣石榴協會天榴坊基地。
3.根據權利要求1所述的懷遠白花玉石籽石榴無性快速培育方法,其特征在于,步驟2)中外植體接種時間為3-9月份。
4.根據權利要求1所述的懷遠白花玉石籽石榴無性快速培育方法,其特征在于,步驟2)中培養室的培養條件為:光照3000LX,溫度24-26℃,光照時間12h/d,相對濕度在60%,培養時間為35-40d。
5.根據權利要求1所述的懷遠白花玉石籽石榴無性快速培育方法,其特征在于,步驟2)中腋芽和嫩莖段的接種培養基成分如下:WPM培養基,1mg/L 6-BA,0.5g/L活性炭,20g蔗糖,5.5g瓊脂,pH為6.2-6.5。
6.根據權利要求1所述的懷遠白花玉石籽石榴無性快速培育方法,其特征在于,步驟2)葉片的接種培養基成分如下:MS培養基,0.8mg/L 6-BA,0.5mg/LNAA,0.5g/L活性炭,20g蔗糖,5.5g瓊脂,pH為6.2-6.5。
7.根據權利要求1所述的懷遠白花玉石籽石榴無性快速培育方法,其特征在于,步驟3)中增值培養的培養基成分如下:WPM培養基,0.8mg/L 6-BA,1.5g/L活性炭,20g蔗糖,5.5g瓊脂,pH為6.2-6.5。
8.根據權利要求1所述的懷遠白花玉石籽石榴無性快速培育方法,其特征在于,步驟4)中生根培養的培養基成分如下:WPM培養基+1mg/L IBA+20g蔗糖+5.5g瓊脂,pH為6.2-6.5。
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