[發明專利]二維金屬卟啉基COF材料以及薄膜制備方法和應用

有效

• 申請號: 201811281585.3
• 申請日: 2018-10-31
• 公開（公告）號: CN109467710B
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發明（設計）人: 侯玉霞;李英;曲黎
• 申請（專利權）人: 河南科技學院
• 主分類號: C08G83/00
• 分類號: C08G83/00;C02F1/30;B01J31/22;C02F101/30
• 代理公司: 成都其高專利代理事務所(特殊普通合伙) 51244
• 代理人: 廖曾

1.一種亞胺鍵連接的二維金屬卟啉基COF材料CuP-DHNDA-COF，其特征在于：萘環中的羥基與亞胺鍵中的氮形成分子內氫鍵，從而形成一個大的超共軛平面二維結構，該材料為晶形多孔材料，結構如下：

。

2.如權利要求1所述卟啉基COF材料CuP-DHNDA-COF的制備方法，其特征在于：將5,10,15,20-四-(4-氨基苯基)卟啉銅和2,6-二羥基-1,5-二醛基萘按摩爾比1:2分散在體積比為5：5：1的鄰二氯苯：正丁醇：36％醋酸的混合溶液中，室溫超聲；然后混合溶液加入高壓釜中，120℃反應，冷卻至室溫，離心分離，干燥后得到CuP-DHNDA-COF。

3.根據權利要求2所述制備方法，其特征在于：離心分離后依次加入N,N-二甲基甲酰胺、四氫呋喃、丙酮洗滌除去未反應的原料和雜質。

4.一種通過權利要求1所述亞胺鍵連接的二維金屬卟啉基COF材料CuP-DHNDA-COF制備薄膜的方法，其特征在于：將ITO玻璃進行氨基化處理后，先與2,6-二羥基-1,5-二醛基萘溶液反應，再與5,10,15,20-四-(4-氨基苯基)卟啉銅反應，如此循環多次后，形成致密平滑的膜。

5.根據權利要求4所述的薄膜，其特征在于：循環次數在40-60次，反應溫度選自室溫。

6.根據權利要求4所述的薄膜，其特征在于：采用該薄膜，在光照條件下產生強光電流，無光照時光電流消失。