[發(fā)明專利]基板處理方法及基板處理裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811278721.3
• 申請(qǐng)日: 2018-10-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109786284B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山口貴大
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社斯庫(kù)林集團(tuán)
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 陳彥;馬鐵軍

本發(fā)明提供一種基板處理方法及基板處理裝置，所述方法包括如下步驟：基板旋轉(zhuǎn)步驟，使基板以水平姿態(tài)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)；處理液提供步驟，對(duì)通過(guò)所述基板旋轉(zhuǎn)步驟被旋轉(zhuǎn)的基板的上表面提供處理液；液膜狀態(tài)監(jiān)測(cè)步驟，對(duì)于提供給所述基板的上表面的處理液在所述基板的上表面形成液膜的狀態(tài)進(jìn)行監(jiān)測(cè)；基板旋轉(zhuǎn)速度變更步驟，在所述處理液提供步驟的執(zhí)行中，根據(jù)所述液膜狀態(tài)監(jiān)測(cè)步驟所監(jiān)測(cè)的所述液膜的狀態(tài)，相應(yīng)地改變所述基板的旋轉(zhuǎn)速度。

相關(guān)申請(qǐng)

本申請(qǐng)要求2017年11月15日提交的日本國(guó)專利申請(qǐng)2017-220076號(hào)的優(yōu)先權(quán)，通過(guò)援引包含該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及通過(guò)處理液處理基板的方法以及裝置。另外，本發(fā)明還涉及存儲(chǔ)有用于通過(guò)基板處理裝置來(lái)實(shí)施基板處理方法的計(jì)算機(jī)程序的存儲(chǔ)介質(zhì)。作為處理對(duì)象的基板，包括例如半導(dǎo)體晶圓、液晶顯示裝置以及有機(jī)EL(Electroluminescence,電致發(fā)光)顯示裝置等的FPD(Flat?Panel?Display，平板顯示器)用基板、光盤(pán)基板、磁盤(pán)基板、光磁盤(pán)基板、用于光掩膜的基板、陶瓷基板、太陽(yáng)電池用基板等基板。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體裝置、液晶顯示裝置等的制造工藝中，對(duì)基板反復(fù)進(jìn)行成膜、蝕刻、清洗等處理。為了執(zhí)行精密的基板處理，存在使用對(duì)基板一片一片進(jìn)行處理的單片式基板處理裝置的情況。

作為單片式基板處理裝置的一例，如日本特開(kāi)2010-10242號(hào)公報(bào)中所公開(kāi)的技術(shù)。該基板處理裝置包括將基板水平保持使其旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)夾頭以及對(duì)基板表面吐出處理液的噴嘴。日本特開(kāi)2010-10242號(hào)公報(bào)中公開(kāi)了對(duì)基板表面的氧化硅膜進(jìn)行蝕刻去除的化學(xué)液處理。氧化硅膜是親水表面，相對(duì)于此，除去氧化硅膜所露出的硅層為疏水表面。此處，在化學(xué)液處理的初期，以較低流量從噴嘴吐出蝕刻液，隨著氧化硅膜的去除基板表面成為疏水表面時(shí)增加蝕刻液的流量。由此，根據(jù)基板表面的性質(zhì)的變化來(lái)改變蝕刻液的流量，在確保對(duì)基板表面的被覆的同時(shí)，抑制蝕刻液的消費(fèi)量。

發(fā)明內(nèi)容

在日本特開(kāi)2010-10242號(hào)公報(bào)的現(xiàn)有技術(shù)中，在化學(xué)液處理期間，即使基板表面的疏水狀態(tài)發(fā)生了變化，基板表面始終被蝕刻液所被覆。由此，能夠一定程度確保蝕刻均一性，但是，近年來(lái)要求更為精密的均一性。

例如，在基板旋轉(zhuǎn)時(shí)，基板各部的線速度，在旋轉(zhuǎn)中心處為零，并與距離旋轉(zhuǎn)中心的距離成比例地增加。從而，在基板的中央附近與外周附近處，線速度存在很大差異。因此，越靠近基板的外周部分則蝕刻液的蒸發(fā)越易于發(fā)生，特別是，在基板旋轉(zhuǎn)速度較大時(shí)，存在蝕刻液的溫度在基板中央部與基板外周部存在差異的風(fēng)險(xiǎn)。由于蝕刻率依賴于蝕刻液的溫度，相應(yīng)地，存在蝕刻不均一的風(fēng)險(xiǎn)。因此，在保持基板表面的所有區(qū)域處于被覆蝕刻液的狀態(tài)下，基板的旋轉(zhuǎn)速度盡可能低是有利的。對(duì)于這樣的課題，在日本特開(kāi)2010-10242號(hào)公報(bào)中未進(jìn)行討論。

同樣的問(wèn)題，不限于蝕刻處理，在通過(guò)處理液對(duì)基板表面進(jìn)行處理的情況下都可能發(fā)生。

此處，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種能夠提高處理的均一性，且同時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)抑制處理液的消費(fèi)量的基板處理方法及基板處理裝置。

本發(fā)明的其他目的在于提供一種存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序的存儲(chǔ)介質(zhì)，該計(jì)算機(jī)程序通過(guò)基板處理裝置執(zhí)行能夠提高處理的均一性且同時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)抑制處理液的消費(fèi)量的基板處理方法。

本發(fā)明提供一種基板處理方法，其包括如下步驟：基板旋轉(zhuǎn)步驟，使基板以水平姿態(tài)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)；處理液提供步驟，對(duì)通過(guò)所述基板旋轉(zhuǎn)步驟被旋轉(zhuǎn)的基板的上表面提供處理液；液膜狀態(tài)監(jiān)測(cè)步驟，對(duì)于提供給所述基板的上表面的處理液在所述基板的上表面形成液膜的狀態(tài)進(jìn)行監(jiān)測(cè)；基板旋轉(zhuǎn)速度變更步驟，在所述處理液提供步驟執(zhí)行中，根據(jù)所述液膜狀態(tài)監(jiān)測(cè)步驟所監(jiān)測(cè)的所述液膜的狀態(tài)，相應(yīng)地改變所述基板的旋轉(zhuǎn)速度。