[發明專利]基板處理方法及基板處理裝置有效
| 申請號: | 201811278721.3 | 申請日: | 2018-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN109786284B | 公開(公告)日: | 2023-05-30 |
| 發明(設計)人: | 山口貴大 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 陳彥;馬鐵軍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 方法 裝置 | ||
1.一種基板處理方法,包括如下步驟:
基板旋轉步驟,其使基板以水平姿態進行旋轉,
處理液提供步驟,其對通過所述基板旋轉步驟被旋轉的基板的上表面提供處理液,
液膜狀態監測步驟,其對于提供給所述基板的上表面的處理液在所述基板的上表面所形成液膜的狀態進行監測,
全被覆狀態判斷步驟,其在所述處理液提供步驟開始之后,判斷所述液膜狀態監測步驟所監測的所述液膜是否為被覆所述基板的上表面的整個區域的全被覆狀態,
基板旋轉速度變更步驟,其在所述處理液提供步驟的執行中,根據所述液膜狀態監測步驟所監測的所述液膜的狀態,相應地改變所述基板的旋轉速度;
其中,所述基板旋轉速度變更步驟包含旋轉減速步驟,當根據所述全被覆狀態判斷步驟判斷為處于所述全被覆狀態時,使所述基板的旋轉速度減小。
2.根據權利要求1所述的基板處理方法,還包括如下步驟:
液體分裂前兆判斷步驟,其在所述處理液提供步驟開始之后,判斷由所述液膜狀態監測步驟所監測的所述液膜是否具有脫離了被覆所述基板的上表面整個區域的全被覆狀態的液體分裂前兆,
其中,所述基板旋轉速度變更步驟包括旋轉加速步驟,當所述液體分裂前兆判斷步驟判斷為所述液膜具有所述液體分裂前兆時,使所述基板的旋轉速度增加。
3.根據權利要求1所述的基板處理方法,還包括如下步驟:
處理液流量變更步驟,其在所述處理液提供步驟的執行中,根據由所述液膜狀態監測步驟所監測的所述液膜的狀態,變更提供至所述基板的處理液的流量。
4.根據權利要求3所述的基板處理方法,其中,所述處理液流量變更步驟包含處理液減量步驟,當根據所述全被覆狀態判斷步驟判斷為處于所述全被覆狀態時,使所述處理液的流量減小。
5.一種基板處理方法,包括如下步驟:
基板旋轉步驟,其使基板以水平姿態進行旋轉,
處理液提供步驟,其對通過所述基板旋轉步驟被旋轉的基板的上表面提供處理液,
液膜狀態監測步驟,其對于提供給所述基板的上表面的處理液在所述基板的上表面所形成液膜的狀態進行監測,
全被覆狀態判斷步驟,其在所述處理液提供步驟開始之后,判斷所述液膜狀態監測步驟所監測的所述液膜是否為被覆所述基板的上表面的整個區域的全被覆狀態,
處理液流量變更步驟,其在所述處理液提供步驟的執行中,根據由所述液膜狀態監測步驟所監測的所述液膜的狀態,變更提供至所述基板的處理液的流量;
其中,所述處理液流量變更步驟包含處理液減量步驟,當根據所述全被覆狀態判斷步驟判斷為處于所述全被覆狀態時,使所述處理液的流量減小。
6.根據權利要求3~5中任一項所述的基板處理方法,還包括如下步驟:
液體分裂前兆判斷步驟,其在所述處理液提供步驟開始之后,判斷由所述液膜狀態監測步驟所監測的所述液膜是否具有脫離了被覆所述基板的上表面整個區域的全被覆狀態的液體分裂前兆,
其中,所述處理液流量變更步驟包含處理液增量步驟,當所述液體分裂前兆判斷步驟判斷為所述液膜具有所述液體分裂前兆時,使所述處理液的流量增加。
7.根據權利要求1或5所述的基板處理方法,所述處理液為蝕刻液。
8.根據權利要求1或5所述的基板處理方法,所述處理液為清洗液。
9.根據權利要求1或5所述的基板處理方法,所述液膜狀態監測步驟包括:
液膜攝像步驟,其對在所述基板的上表面形成的液膜進行攝像,和
圖像分析步驟,其對于由所述液膜攝像步驟所拍攝的液膜的圖像進行分析。
10.根據權利要求1或5所述的基板處理方法,所述基板具有通過所述處理液處理而對于所述處理液的親液性發生變化的表面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





