[發明專利]一種晶硅太陽能電池的制備方法及生產線

在審

• 申請號: 201811276250.2
• 申請日: 2018-10-30
• 公開（公告）號: CN109616546A
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發明（設計）人: 張堯;霍亭亭;倪志春;魏青竹;連維飛;胡黨平
• 申請（專利權）人: 蘇州騰暉光伏技術有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 孫仿衛;李萍

本發明公開了一種晶硅太陽能電池的制備方法，依次包括如下步驟：A制絨；B在硅片正面鍍掩膜；C對硅片背面進行堿拋光；D清洗；E去除步驟B制備的掩膜；F擴散制備P?N結；G將硅片的除正面外的其它部位上的P?N結去除，并對硅片背面進行酸拋光；H制備硅片背面的鈍化膜。本硅片背面拋光效果較好且潔凈度較好，提升光電轉換效率。

技術領域

本發明屬于晶硅太陽能電池制造領域，特別涉及一種晶硅太陽能電池的制備方法。

背景技術

在晶硅太陽能電池制造工藝中，傳統的單晶PERC電池(鈍化發射極背面接觸電池)背拋光采用鏈式硝酸進行酸拋，拋光后反射率為30%左右。然而，現有的背面酸拋技術具有如下缺點：反射率不夠高，背表面較粗糙，入射光利用率不高，且粗糙的背表面影響背面鈍化效果。

發明內容

針對上述技術問題，本發明旨在提供一種晶硅太陽能電池的制備方法，硅片背面拋光效果較好且潔凈度較好，提升光電轉換效率。

為達到上述目的，本發明采用的技術方案如下：

一種晶硅太陽能電池的制備方法，依次包括如下步驟：A制絨；B在硅片正面鍍掩膜；C對硅片背面進行堿拋光；D清洗；E去除步驟B制備的掩膜；F擴散制備P-N結；G將硅片的除正面外的其它部位上的P-N結去除，并對硅片背面進行酸拋光；H制備硅片背面的鈍化膜。

進一步地，步驟B中的掩膜為氮化硅膜或氧化鋁膜。

進一步地，步驟C中采用氫氧化鈉對硅片背面進行堿拋光。

進一步地，步驟D中，硅片先通過20~25℃ 氫氟酸清洗，再通過30~80℃ 氨水、雙氧水、水清洗，之后通過65~85℃ 鹽酸、雙氧水、水清洗。

更進一步地，步驟D中，使硅片依次通過盛有氫氟酸的第一清洗槽，盛有氨水、雙氧水、水的第二清洗槽及盛有鹽酸、雙氧水、水的第三清洗槽。

進一步地，步驟E中采用氫氟酸去除所述掩膜。

進一步地，步驟G中，通過刻蝕工藝，采用硝酸溶液去除邊緣P-N結及背面拋光。

進一步地，所述制備方法還包括步驟G之后的如下步驟：在背面鈍化膜上層疊氮化硅覆蓋膜；硅片正面制備氮化硅減反射及鈍化膜；將硅片背面激光開槽，并絲網印刷制備正負電極。

進一步地，硅片依次通過制絨設備、PECVD鍍膜設備后進入堿拋光槽。

本發明還采用如下技術方案：

一種晶硅太陽能電池的生產線，所述生產線采用如上所述的晶硅太陽能電池的制備方法。

本發明采用以上方案，相比現有技術具有如下優點：

本發明的制備方法中，在擴散之前先對硅片進行堿拋光，然后結合擴散之后的酸拋光，改善了硅片背面的拋光效果，使得硅片背表面更加平整，提高入射光反射率，更好利用入射光；也使得背面鈍化效果更好。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為根據本發明的一種晶硅太陽能電池的制備方法的流程圖；

圖2為根據本發明的一種晶硅太陽能電池的生產線的示意圖；

圖3為圖2中清洗機的結構示意圖。

具體實施方式