[發(fā)明專利]一種晶硅太陽(yáng)能電池的制備方法及生產(chǎn)線

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811276250.2
• 申請(qǐng)日: 2018-10-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109616546A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張堯;霍亭亭;倪志春;魏青竹;連維飛;胡黨平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州騰暉光伏技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103
• 代理人: 孫仿衛(wèi);李萍

1.一種晶硅太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，依次包括如下步驟：A制絨；B在硅片正面鍍掩膜；C對(duì)硅片背面進(jìn)行堿拋光；D清洗；E去除步驟B制備的掩膜；F擴(kuò)散制備P-N結(jié)；G將硅片的除正面外的其它部位上的P-N結(jié)去除，并對(duì)硅片背面進(jìn)行酸拋光；H制備硅片背面的鈍化膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟B中的掩膜為氮化硅膜或氧化鋁膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟C中采用氫氧化鈉對(duì)硅片背面進(jìn)行堿拋光。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟D中，硅片先通過(guò)20~25℃ 氫氟酸清洗，再通過(guò)30~80℃ 氨水、雙氧水、水清洗，之后通過(guò)65~85℃ 鹽酸、雙氧水、水清洗。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，步驟D中，使硅片依次通過(guò)盛有氫氟酸的第一清洗槽，盛有氨水、雙氧水、水的第二清洗槽及盛有鹽酸、雙氧水、水的第三清洗槽。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟E中采用氫氟酸去除所述掩膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟G中，通過(guò)刻蝕工藝，采用硝酸溶液去除邊緣P-N結(jié)及背面拋光。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括步驟G之后的如下步驟：在背面鈍化膜上層疊氮化硅覆蓋膜；硅片正面制備氮化硅減反射及鈍化膜；將硅片背面激光開(kāi)槽，并絲網(wǎng)印刷制備正負(fù)電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，硅片依次通過(guò)制絨設(shè)備、PECVD鍍膜設(shè)備后進(jìn)入堿拋光槽。

10.一種晶硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)線，其特征在于，所述生產(chǎn)線采用上述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的晶硅太陽(yáng)能電池的制備方法。