[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法

在審

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• 申請日: 2018-10-30
• 公開（公告）號: CN109727942A
• 公開（公告）日: 2019-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 小汲泰一
• 申請（專利權(quán)）人: 拉碧斯半導(dǎo)體株式會社
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 舒艷君;李洋

1.一種半導(dǎo)體裝置，其中，

具備布線，上述布線包括設(shè)置在半導(dǎo)體基板上的第一導(dǎo)電部件、和設(shè)置在上述第一導(dǎo)電部件的表面且離子化傾向比上述第一導(dǎo)電部件小的第二導(dǎo)電部件，

上述第一導(dǎo)電部件在上述第二導(dǎo)電部件側(cè)的第一面的寬度比上述第一導(dǎo)電部件在上述半導(dǎo)體基板側(cè)的第二面的寬度窄，

上述第二導(dǎo)電部件的寬度比上述第一導(dǎo)電部件的上述第一面的寬度寬、且比上述第一導(dǎo)電部件的上述第二面的寬度窄。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，還包括：

第一絕緣膜，被設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板與上述布線之間；以及

第二絕緣膜，覆蓋上述第一絕緣膜以及上述布線。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

上述布線經(jīng)由形成于上述第一絕緣膜的開口部而與形成于上述半導(dǎo)體基板的電極連接，并經(jīng)由形成于上述第二絕緣膜的開口部與外部連接端子連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或者權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

上述布線在上述第一導(dǎo)電部件與上述第二導(dǎo)電部件的界面的周邊區(qū)域具有朝向上述布線的寬度方向內(nèi)側(cè)凹陷的凹陷部，

上述第二絕緣膜侵入到上述凹陷部。

5.根據(jù)權(quán)利要求2～權(quán)利要求4中的任意一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

還包括導(dǎo)電膜，上述導(dǎo)電膜被設(shè)置在上述第一導(dǎo)電部件與上述第一絕緣膜之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～權(quán)利要求5中的任意一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

上述第一導(dǎo)電部件具有設(shè)置在上述第二面的一側(cè)的基座部、和設(shè)置在上述第一面的一側(cè)的狹小部，

上述基座部的側(cè)壁與上述半導(dǎo)體基板的主面垂直，上述基座部的上表面與上述半導(dǎo)體基板的主面平行，

與上述基座部的上表面連接的上述狹小部的底部的寬度比上述基座部的上表面的寬度窄，上述狹小部的剖面形狀為正錐形形狀。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～權(quán)利要求6中的任意一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

上述第一導(dǎo)電部件包含Cu，

上述第二導(dǎo)電部件包含Au。

8.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括：

在半導(dǎo)體基板的表面形成第一絕緣膜的工序；

在第一絕緣膜的表面形成種子層的工序；

利用經(jīng)由上述種子層來進(jìn)行通電的電解電鍍方法在上述第一絕緣膜的表面形成第一導(dǎo)電部件的工序；

利用經(jīng)由上述種子層進(jìn)行通電的電解電鍍方法在上述第一導(dǎo)電部件的表面將第二導(dǎo)電部件形成在上述第一導(dǎo)電部件的內(nèi)側(cè)的工序，上述第二導(dǎo)電部件具有比上述第一導(dǎo)電部件的寬度窄的寬度且離子化傾向比上述第一導(dǎo)電部件小；以及

通過蝕刻將上述種子層除去的工序。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其中，

還包括在上述第一絕緣膜形成第一開口部的工序，

使包括上述第一導(dǎo)電部件以及上述第二導(dǎo)電部件的布線經(jīng)由上述第一開口部與形成于上述半導(dǎo)體基板的電極連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或者權(quán)利要求9所述的制造方法，其中，

在除去上述種子層的工序中，在包括上述第一導(dǎo)電部件以及上述第二導(dǎo)電部件的布線的、上述第一導(dǎo)電部件與上述第二導(dǎo)電部件的界面的周邊區(qū)域形成朝向上述布線的寬度方向內(nèi)側(cè)凹陷的凹陷部。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造方法，其中，

還包括形成覆蓋上述第一絕緣膜以及上述布線的第二絕緣膜的工序，

上述第二絕緣膜侵入到上述凹陷部。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造方法，其中，還包括：

在上述第二絕緣膜形成使上述布線的表面局部地露出的第二開口部的工序；以及

在從上述布線的上述第二開口部露出的部分形成外部連接端子的工序。

13.根據(jù)權(quán)利要求8～權(quán)利要求12中的任意一項所述的制造方法，其中，

上述第一導(dǎo)電部件包含Cu，

上述第二導(dǎo)電部件包含Au。