[發明專利]一種測試方法及裝置

在審

• 申請號: 201811273707.4
• 申請日: 2018-10-30
• 公開（公告）號: CN109461469A
• 公開（公告）日: 2019-03-12
• 發明（設計）人: 劉定星;唐侃毅;程博鋒
• 申請（專利權）人: 新華三技術有限公司
• 主分類號: G11C29/50
• 分類號: G11C29/50;G11C29/56
• 代理公司: 北京柏杉松知識產權代理事務所(普通合伙) 11413
• 代理人: 孟維娜;馬敬

1.一種測試方法，其特征在于，所述方法包括：

確定對以Flash顆粒為存儲介質的存儲設備進行測試的測試點，其中，所述測試點包括：用于構建測試環境的第一類參數、用于描述測試目的的第二類參數、所述第一類參數的取值和所述第二類參數的取值；

按照所述第一類參數的取值對所述存儲設備進行所述第一類參數所指示的操作，進而構建所述測試點對應的測試環境；

按照所述第二類參數的取值對所述存儲設備進行所述第二類參數所指示的操作；

讀取所述存儲設備的Flash顆粒中各個存儲單元的閾值電壓，得到所述存儲設備針對所述測試點的測試結果。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一類參數包括擦除PE次數和第一環境溫度的情況下，

所述按照所述第一類參數的取值對所述存儲設備進行所述第一類參數所指示的操作，包括：

控制所述存儲設備所處環境的溫度，使得所述存儲設備所處環境的溫度值達到所述測試點中包括的所述第一環境溫度的取值；

控制所述存儲設備進行PE操作，使得所述存儲設備進行的PE操作的次數達到所述測試點中包括的PE次數的取值。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，在所述第一類參數還包括第二環境溫度、所述第二類參數包括讀干擾RD次數的情況下，

所述按照所述第二類參數的取值對所述存儲設備進行第二類參數所指示的操作，包括：

控制所述存儲設備所處環境的溫度，使得所述存儲設備所處環境的溫度值達到所述測試點中包括的所述第二環境溫度的取值；

控制所述存儲設備進行RD操作，使得所述存儲設備進行的RD操作的次數達到所述測試點中包括的RD次數的取值。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，在所述第一類參數還包括第三環境溫度和第四環境溫度、所述第二類參數包括數據保持DR時長的情況下，

所述按照所述第二類參數的取值對所述存儲設備進行所述第二類參數所指示的操作，包括：

控制所述存儲設備所處環境的溫度，使得所述存儲設備所處環境的溫度值達到所述測試點中包括的所述第三環境溫度的取值；

關閉所述存儲設備的電源對所述存儲設備進行DR操作，直至電源關閉時長達到所述測試點中包括的DR時長的取值；

所述讀取所述存儲設備的Flash顆粒中各個存儲單元的閾值電壓，包括：

控制所述存儲設備所處環境的溫度，使得所述存儲設備所處環境的溫度值達到所述測試點中包括的所述第四環境溫度的取值；

開啟所述存儲設備的電源，讀取所述存儲設備的Flash顆粒中各個存儲單元的閾值電壓。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

獲得所述存儲設備針對各個測試點的測試結果后，對所獲得測試結果進行分析，得到以下信息中的至少一種信息：

隨著所述第一類參數、第二類參數的變化，所述存儲設備的各個存儲單元的數據讀取參考電壓的分布信息；

隨著所述第一類參數、第二類參數的變化，所述存儲設備的各個存儲單元的裸誤碼分布信息。

6.一種測試裝置，其特征在于，所述裝置包括：

測試點確定模塊，用于確定對以Flash顆粒為存儲介質的存儲設備進行測試的測試點，其中，所述測試點包括：用于構建測試環境的第一類參數、用于描述測試目的的第二類參數、所述第一類參數的取值和所述第二類參數的取值；

第一存儲設備操作模塊，用于按照所述第一類參數的取值對所述存儲設備進行所述第一類參數所指示的操作，進而構建所述測試點對應的測試環境；

第二存儲設備操作模塊，用于按照所述第二類參數的取值對所述存儲設備進行所述第二類參數所指示的操作；

電壓讀取模塊，用于讀取所述存儲設備的Flash顆粒中各個存儲單元的閾值電壓，得到所述存儲設備針對所述測試點的測試結果。