[發明專利]基板處理裝置以及成膜裝置

有效

• 申請號: 201811273183.9
• 申請日: 2018-10-30
• 公開（公告）號: CN109755154B
• 公開（公告）日: 2023-06-09
• 發明（設計）人: 阿部可子;渡部新;阿部大和;竹見崇
• 申請（專利權）人: 佳能特機株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02;H01L21/687
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 劉楊

本發明提供基板處理裝置以及成膜裝置，在使用了反濺射原理的基板表面處理中，能夠對被處理面整個區域進行均勻的處理。該基板處理裝置(14)具備：配置有基板(2)并且被導入放電氣體的腔室(41)；在腔室內保持基板的基板保持架(42)；在腔室內支承基板保持架的基板保持架支承部(43)；以及將基板保持架作為陰極，且至少將腔室以及基板保持架支承部作為陽極，對基板施加電壓的電壓施加部件(44)，通過向基板的表面照射離子或電子，進行基板的表面處理，所述離子或電子通過由電壓施加部件的電壓施加產生的放電而在腔室內產生，其中，基板保持架和基板保持架支承部經由相對于基板保持架以及基板保持架支承部電絕緣的浮動部(50)連結。

技術領域

本發明涉及基板處理裝置以及成膜裝置。

背景技術

在半導體器件的成膜處理中，在濺射之前，進行使用了反濺射原理的基板表面處理，來作為用于對基板表面進行清潔的前處理、蝕刻處理(專利文獻1)。通過向配置有基板的腔室內導入Ar氣體等放電氣體，并將腔室內維持在規定的真空壓力的同時，對基板施加規定的高頻電壓，從而進行基于反濺射的表面處理。利用通過施加電壓而在基板的被處理面產生的放電產生等離子體，等離子體中的離子與基板的被處理面碰撞，從而去除形成在被處理面上的氧化膜等。

在先技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2012－132053號公報

發明內容

發明要解決的課題

在反濺射處理中的向基板施加電壓的過程中，將基板保持架的基板載置部作為陰極，腔室等基板保持架以外的裝置結構成為陽極。為了對基板的被處理面整個區域進行均勻的處理，等離子體區域需要被形成在比被處理面大的范圍。可是，根據裝置結構的不同，在成為陰極的基板保持架的基板載置部與陽極接近的區域，有時會妨礙電子的帶電，且妨礙等離子體的擴散。其結果，有時對基板的被處理面的處理分布產生影響。

本發明的目的在于，提供一種能夠在使用了反濺射原理的基板表面處理中對被處理面整個區域進行均勻的處理的技術。

用于解決課題的技術方案

為了實現上述目的，本發明的基板處理裝置具備：

腔室，配置有基板并且被導入放電氣體；

基板保持架，在所述腔室內保持所述基板；

基板保持架支承部，在所述腔室內支承所述基板保持架；以及

電壓施加部件，將所述基板保持架作為陰極，且至少將所述腔室以及所述基板保持架支承部作為陽極，對所述基板施加電壓，

通過向所述基板的表面照射離子或電子，進行所述基板的表面處理，所述離子或電子通過由所述電壓施加部件的電壓施加產生的放電而在所述腔室內產生，

其特征在于，

所述基板保持架與所述基板保持架支承部經由相對于所述基板保持架以及所述基板保持架支承部電絕緣的浮動部連結。

為了實現上述目的，本發明的成膜裝置具備：

上述基板處理裝置；以及

成膜處理部，對由所述基板處理裝置實施了表面處理的基板的表面進行成膜處理。

發明的效果

根據本發明，能夠在使用了反濺射原理的基板表面處理中對被處理面整個區域進行均勻的處理。

附圖說明

圖1是本發明的實施例的基板處理裝置的概略圖。

圖2是本發明的實施例與比較例的比較說明圖。