[發明專利]基板處理裝置以及成膜裝置有效
| 申請號: | 201811273183.9 | 申請日: | 2018-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN109755154B | 公開(公告)日: | 2023-06-09 |
| 發明(設計)人: | 阿部可子;渡部新;阿部大和;竹見崇 | 申請(專利權)人: | 佳能特機株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02;H01L21/687 |
| 代理公司: | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人: | 劉楊 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 以及 | ||
1.一種基板處理裝置,該基板處理裝置具備:
腔室,配置有基板并且被導入放電氣體;
基板保持架,在所述腔室內保持所述基板;
基板保持架支承部,在所述腔室內支承所述基板保持架;以及
電壓施加部件,將所述基板保持架作為陰極,且至少將所述腔室以及所述基板保持架支承部作為陽極,對所述基板施加電壓,
通過向所述基板的表面照射離子或電子,進行所述基板的表面處理,所述離子或電子通過由所述電壓施加部件的電壓施加產生的放電而在所述腔室內產生,
其特征在于,
所述基板保持架與所述基板保持架支承部經由相對于所述基板保持架以及所述基板保持架支承部電絕緣的作為電勢上浮動的構件的金屬制的浮動部連結。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述浮動部被配置在沿著基板的外周的區域的至少一部分。
3.根據權利要求1或2所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述浮動部被配置在所述基板保持架支承部與所述基板的周緣中的同所述基板保持架支承部接近的部分之間。
4.根據權利要求1或2所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述基板保持架將所述基板保持成被處理面成為豎直,
所述浮動部被配置在所述基板的下端部的下方。
5.根據權利要求4所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述浮動部具有相對于所述基板的下端部遍及其整個區域接近的部分。
6.根據權利要求1或2所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述浮動部經由絕緣構件相對于所述基板保持架以及所述基板保持架支承部連結。
7.根據權利要求1或2所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述浮動部是金屬制的板狀構件,與基板的被處理面平行地配置。
8.根據權利要求1或2所述的基板處理裝置,其特征在于,
該基板處理裝置還具備被配置在所述腔室內的附著防止板,
所述附著防止板包含于所述陽極。
9.根據權利要求1或2所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述基板保持架支承部被構成為能夠在所述腔室內移動。
10.一種成膜裝置,其特征在于,
該成膜裝置具備:
權利要求1或2所述的基板處理裝置;以及
成膜處理部,對由所述基板處理裝置實施了表面處理的基板的表面進行成膜處理。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





